电流

https://blog.csdn.net/zhy295006359/article/details/77412566 来源： CSDN 作者： 时代的孩子 链接： https://blog.csdn.net/weixin_42849193/article/details/103663127

电力电子技术总结 第二章 1 电力电子器件工作在开关状态， 为了减小损耗 。通态损耗，断态损耗，开关损耗。 2 不可控器件—电力二极管，利用单向导电性，可以在交流变直流过程中实现整流。和电 感在一起，一般是为了实现续流。二极管具有 电导调制效应 —当二极管两端电流发生变化， 其压降不变。 3 半可控器件（控开不控关）—晶闸管，四个特性， 晶闸管导通的两个条件：（1承受正向电压，2有触发脉冲），关断：电流为0； 应用场合：整流，交交变换，电流源型逆变电路； 额定电压：断态峰值额定电压，反向峰值额定电压，谁小谁做额定电压。电路的最大值不能超过额定电压/安全裕量。 额定电流：安全裕量*通态平均电流，(通态平均电流=电流有效值/1.57) 晶闸管派生器件（均为 半 控型器件）：快速晶闸管，双向晶闸管， 逆导晶闸管（不具备承 受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通）。 4 门极可关断晶闸管（ GTO ），全控型器件。 开通：门极加正脉冲，形成正反馈；关断：门极加负脉冲，形成 正 反馈。 最大可关断阳极电流的意义：能通过控制门极关断 GTO 时的最大电流。如果流过的电流超过最大可关断阳极电流，晶闸管也 不 一定会烧坏，但是不能通过门极控制其关断。 5 电力场效应晶体管（电力 MOSFET ），全控型器件，它是开关频率最高的器件。 6 绝缘栅型晶体管（ IGBT ），全控型器件。 应用场合

  在 地球物理学中的等离子体 ，通常并不是静止的，而是会在外部作用力的影响下运动。有时离子和电子会一起运动，如太阳风。但是在一些情况下，离子和电子沿不同的方向运动，形成电流。这些电流对于地球等离子体环境的动力学过程非常重要。它们传输电荷、质量、动量和能量。此外，这些电流也会产生磁场，严重改变或者扭曲之前已经存在的磁场。   实际上，地球偶极磁场向磁层典型的形状变形，就伴随着电流。如上图所示。在向阳侧，地球磁场被压缩，伴随着穿过磁层顶的电流，即磁层顶电流（magnetopause current）。而在夜侧磁层的尾状场伴随着尾电流（tail current），在它尾部的表面，并且后面跟着中心等离子体片的中性片电流（neutral sheet current），它们相互连接，沿着地球与太阳的连线看，它们形成一个 Θ \Theta Θ 形状的电流系统。   另一个影响内磁层结构的大尺度的电流系统是环电流（ring current）。环电流在距离地球几个地球半径的位置，向西环绕地球，并且这个电流是由辐射带中的粒子携带的。此外由于这些粒子的弹跳运动，它们会绕着地球缓慢漂移，质子向西漂移而电子向东漂移，从而建立了净电荷传输。   在地球海拔 100 − 150 k m 100-150km 1 0 0 − 1 5 0 k m 处的电离层中的导电层中，存在大量的电流系统

感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验(微信公众号 yjjy168168168，欢迎关注)。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 一、拓扑结构 1、LDO拓扑如上图，要想掌握LDO，必须理解拓扑结构，几乎所有LDO都是基于此拓扑结构。 2、由拓扑可知，LDO属于线性电源，通过控制开关管的导通程度实现稳压，输出纹波小，无开关噪声； 3、线性电源，输出电流等于输入电流，发热功率=电压差 电流，转换效率=Vo/Vi； 4、LDO不适合电压差过大的场合，比如输入24V，输出3.3V，如果电流20mA，发热功率=20.7V 20mA=0.54W，效率只有13.75%； 5、LDO不适合电流大的场合，电流大，发热功率相对较大，同时，压差大，可能导致电压下拉，具体看datasheet的电压降，比如1V/1A(电流1A时，压降最少1V，此时，如果输入电压4V，输出最大只能3V); 6、根据经验，SOT-23封装，发热功率不超过0.3W；SOT-89,发热功率不超过0.5W； 7、如果发热功率过大，可以考虑使用BUCK降压电路，必须使用LDO的话，可以串联电阻，分担一部分功耗，但需要注意LDO电压降必须满足要求。 二

描述特征 ZCC2410是一种高效率、高功率密度、宽输入范围、电流模式升压变换器。该转换器集成了一个10mΩ，24V电源开关和一个同步门驱动器，以提高转换器的效率。它提供一个外部电阻可编程开关峰值电流限制。PWM模式下的开关频率可通过外部电阻在100 kHz至1 MHz范围内调节。外部补偿引脚提供了用户在设置环路动态和在所有条件下获得最佳的瞬态性能的灵活性。 ZCC2410还包括输入欠压闭锁、输出过电压保护、逐周过电流保护和热保护 •3V至22V宽工作电压范围 •同步解决方案的SDR驱动程序 高度柔韧性的外部补偿 •集成10mΩ，24V功率MOSFET •可编程软启动时间 •可编程开关峰值电流限制 •可编程开关频率： 100千赫至1兆赫 •可编程输入UVLO和UVLO滞后 •低关机电流<1微安 •输出过电压保护 •150°C时热关机 •3x4mm QFN包装 关闭以防止输出过载时损坏。ZCC2410有17针3mmx4mm FCQFN封装。 应用 •蓝牙扬声器 •便携式POS系统 •笔记本和平板电脑 •快速充电器电源组 • 来源： CSDN 作者： yuetm 链接： https://blog.csdn.net/yuetm/article/details/103988691

第四章 电阻的物理基础 4.1 将物理设计转化为电气设计 建模就是将物理设计中线的长、宽、厚和材料特性转化为R,L和C的电气描述形式。 第五章 电容的物理基础 电容器实际上是由两个导体构成的，任何两个导体之间都有一定量的电容。 (该电容量本质上是对两个导体在一定电压下存储电荷能力的度量) 5.1 电容器中的电流流动 如前所述，只有当两个导体之间的电压变化时，才会有电流流经电容器。 流经电容器的电流可表示为: 　　　　　　 当 dV/dt 保持不变时，电容量越大，流过电容的电流就越大。在时域中，电容量越大，电容器的阻抗就越小。 电容器的一个重要的几何结构特征 ：导体间距越大，电容量就越小；导体重叠面积越大，电容就越大。 经验法则： FR4板上50Ω传输线的单位长度电容约为3.5 pF/in。 第六章 电感的物理基础 6.2 电感法则一： 电流周围会形成闭合磁力线圈(遵循右手法则) 磁力线圈总是完整的环形，而且总是包围着某一电流。电流周围一定存在磁力线圈。 一般以韦伯(Weber)为单位来计算电流周围的磁力线匝数，而磁力线匝数会受到很多因素的影响。 1. 导线中的电流越大，电流周围磁力线圈的韦伯数也越大； 2. 导线越长，磁力线匝数就越多； 3. 导线的横截面(影响程度比较复杂); 4. 附近其他电流的存在也会对第一个电流周围的磁力线匝数产生影响 6.3 电感法则二：

型号 DRV8825 封装 HTSSOP（28） 常规体型 9.70mm* 6.40mm ·功能：PWM电机驱动 最高32细分 ·具有多种衰减模式：混合衰减 低速衰减 快速衰减 ·操作电压 8.2V-45V ·最大2.5A 驱动电流 （24V，25°C） ·简单的 步数/方向 交互 ·小电流睡眠模式 ·内建3.3V参考电压 ·小封装 ·安全模式： 过流保护 热关机 欠压锁定 故障指示引脚 nFUAULT 安全说明：内部关闭功能用于过流，短路，欠压锁定和过热 内部引脚说明： CAP1/CAP2 ：两端间连0.01uF/50V电容 VCP：并联 0.1uF /16V 陶瓷电容 和1M电阻 至VM端 VMA，VMB 连接至绕组端， 两端必须是同样的端电压， 连接一个0.1uf的高频滤波电容，和一个大容量电容 V3P3OUT: 连接一个 0.47uF/6,3V陶瓷电容 用来做VREF的支撑电压。 AVREF/BVREF：AB桥的电流控制端，连接至同一参考电压，可以连接至V3P3OUT引脚 DECAY：衰减控制 低电平：低衰减模式 高电平：高速衰减模式 悬空（open） 混合衰减模式 【引脚内置上下拉】 DIR：方向控制： 【内置下拉】 MODE0/1/2：细分设置 【内置下拉】 nENBL：逻辑高电平去禁止驱动输出，逻辑低电平使能 【内置下拉】 nRESRT: 低电平有效

ZCC54XB系列是一种高压 超低功率调节器。设备可以允许 输入电压高达50V。典型的静态 电流只有1.6微安。该装置有固定的 输出电压为3.3V和5.0V。 该装置具有集成短路和 热关机保护。 虽然主要设计为固定电压 调节器，该装置可与外部 获得可变电压的元件。 n特征 低静态电流：2.1μA ·H 我 克 小时 我 n个 第页 ut电压：高达50V ·高输出电流：≥350mA 辍学电压： 35mV@10mA 100毫安时为350毫伏 固定输出电压：3.3V和5.0V 高精度输出电压 ·ZCC 54XXB±2% 良好的瞬态响应 ·集成短路保护 综合热保护 可用包 n应用 电池供电设备 烟雾探测器和传感器 微控制器应用 ·家用电器 来源： CSDN 作者： yuetm 链接： https://blog.csdn.net/yuetm/article/details/103984497

一、发光二极管： 1.直插超亮发光二极管： 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V 绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。 2.贴片LED二极管： 红色的压降为1.82-1.88V，电流5-8mA 绿色的压降为1.75-1.82V，电流3-5mA 橙色的压降为1.7-1.8V，电流3-5mA 兰色的压降为3.1-3.3V，电流8-10mA 白色的压降为3-3.2V，电流10-15mA. 3.特定型号二极管： 4148二极管：在5V电压下的压降大概是1.85mA的电流下的压降大概是0.6V。 版权声明：本文为博主原创文章，未经博主允许不得转载。 来源： https://www.cnblogs.com/otaku-lip/p/4765069.html

/**************************************************************************//** * @file main.c * @version V3.00 * $Revision: 3 $ * $Date: 15/09/02 10:03a $ * @brief Demonstrate how to set GPIO pin mode and use pin data input/output control. 演示如何设置GPIO引脚模式并使用引脚数据输入/输出控制。 * @note * Copyright (C) 2013~2015 Nuvoton Technology Corp. All rights reserved. * ******************************************************************************/ #include "stdio.h" #include "M451Series.h" #include "NuEdu-Basic01.h" #define PLL_CLOCK 72000000 void SYS_Init(void) { /*----------------------------------------------