模电&数电知识整理（不定期更新）
模电总复习之爱课堂题目概念整理 C hapter 1 1） 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为 1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是 基本不发生变化 。 2） 二极管发生击穿后，在击穿区的曲线很陡，反向电流变化很大，但两端的电压降却几 乎 不变。 3） 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。 4） 齐纳击穿的反向击穿电压小于 6V。 5） 二极管电击穿是可逆的，热击穿不可逆。 6） 在 P型半导体中，多子是 空穴 ，少子是 自由电子 。 7） 在 P型半导体中：在室温下，当温度升高时，空穴的浓度将会 近似不变 。 8） 在 P型半导体中：在室温下，当温度升高时，自由电子的浓度将会 升高 。 9） 温度每增加 10摄氏度，硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的 2 倍。 10） 二极管的伏安特性曲线可以被分为三个工作区域，分别为 正向工作区 、 反向 工作区 和 反向击穿区 。 11） 不管温度有多高，本征半导体中自由电子的浓度等于与空穴的浓度。 12） 二极管的反向电流大小主要决定于少子浓度。 13）N、P型半导体对外显电中性。 C hapter 2 1） 有一 PNP型三极管的发射结正偏、集电结正偏，则 基极电位最低 。 2）PNP型晶体管工作在饱和区时 ， 发射结和集电结都正偏 。 3） 厄尔利（ Early）电压反映的是晶体管的 基区调宽效应 。