半导体

明尼阿波利斯--(美国商业资讯)--高精度3D传感技术解决方案的全球领先开发商和制造商 CyberOptics® Corporation (NASDAQ: CYBE)将参加2020年2月5日至7日在首尔COEX（韩国国际会展中心）举行的韩国半导体工业技术展览会(SEMICON Korea)，展位号为C236。展会期间，该公司将发布和展示其新的WaferSense® Auto Resistance Sensor™ (ARS)和用于半导体工具设置与诊断的CyberSpectrum™软件。 该公司的300mm自动电阻传感器(ARS)和CyberSpectrum软件可在半导体电化学沉积(ECD)应用中实时测量镀层cell触点的电阻。ARS使用开尔文传感（4线电阻）方法快速识别并监视周围50个独立焊盘的电阻测量值，以检测影响电镀引脚的残留物。 它让半导体晶圆厂的工艺和设备工程师可以通过对一段时期内测得的平均电阻进行定量分析来预测工具何时需要维护，缩短设备维护周期，并利用类似晶片的4线电阻传感器和CyberSpectrum软件的客观和可重复数据来改善cell之间的一致性。 CyberOptics总裁兼首席执行官Subodh Kulkarni博士表示：“我们扩展了我们专有的WaferSense设备产品线，这些设备现已被全球半导体晶圆厂和设备OEM所使用，以显著提高产量和延长工具正常运行时间

2019 年全球半导体供应商 Top 10，头把交椅换谁坐？ 据 Gartner 公司最新研究表示，2019 年全球半导体行业总收入为 4183 亿美元，较去年同比下降 11.9%。由于内存市场低迷对包括三星电子在内的许多大厂商产生的负面影响，英特尔重新夺回市场第一的位置。按收入计算，三星电子在 2018 年和 2017 年均位列第一。 Gartner 称，由于服务器市场放缓，CPU 供应持续受限，以及将蜂窝基带业务出售给苹果的影响，英特尔的半导体收入在 2019 年下降了 0.7%。由于内存市场的低迷，三星跌至第二。 Gartner 指出，DRAM 和 NAND 闪存的供过于求和需求下降导致三星的存储器收入在 2019 年下降了 34%，而这部分收入占据其销售额的 82%。 以下为 Gartner 统计的 2019 年全球半导体供应商 Top 10 名单： 据名单显示，英特尔排名第一，收入约 658 亿美元，其次是三星，收入 522 亿美元。SK 海力士和美光半导体的收入分别为 224 亿美元和 200 亿美元，分别位居第三和第四。 据 Gartner 研究表明，NAND 闪存在 2019 年的衰退状况比整体内存市场要温和一些，由于 2018 年底库存水平上升，再加上 2019 年上半年需求疲软，这部分收入下降了 23.1%。 在 KIOXIA 和 Western Digital

ylbtech-公司-半导体：Micron 美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是 高级半导体解决方案 的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出 DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器 、 其它半导体组件以及存储器模块 ，用于 前沿计算、消费品、网络和移动便携产品 。美光公司普通股代码为MU，在 纽约证券交易所 交易（NYSE）。 1. 返回顶部 1、 中文名：美光科技 外文名：Micron Technology, Inc 类 型：高级 半导体 解决方案供应商之一 地 点：美国 爱德 荷州首府 博伊 西市 目录 1 简介 2 CEO遇难 3 收购尔必达 ▪ 收购背景 ▪ 价格趋稳 ▪ 生产转型 ▪ 获益有限 4 西安分公司 2、 2. 返回顶部 1、 简介 Micron Technology（美光科技）：位于美国爱达荷州首府博伊 西市 ，于1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。 美光 科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的 半导体储存及影像产品 制造商之一，其主要产品包括DRAM、 NAND闪存 和CMOS影像传感器。美光科技 LOGO 先进的产品广泛应用于 移动、计算机 、 服务、汽车、网络、安防

1.avago中文安华高 全球领先的模拟、混合信号和光电器件厂商, Avago Technologies的总部分别设在美国加州圣何塞和新加坡. 一般用的是他的高速光耦,比如HCPL0720. 2.NEC中文名，美国国家半导体公司(现在已经被TI公司收购) 总部位于美国加州 圣塔克拉拉，产品包括电力管理电路、显示器驱动、音频与运算放大器、通讯接口产品及数据转换方案。 2011年4月4日，德州仪器 宣布以65亿美元收购美国国家半导体。两家公司与2011年9月23日正式合并。现在改成TI（德州仪器）名下 一般用到他的485芯片。 3.CYPRESS中文名赛普拉斯 公司总部设在美国 加州 圣约瑟市（ San Jose）。 产品包括有线与无线USB器件、CMOS图像传感器、计时技术解决方案、网络搜索引擎 、专业存储器 、高带宽同步和微功耗存储器产品、光学解决方案以及可再配置的混合信号阵列等。 一般用到他的SRAM 4. Analog Devices中文名 亚德诺半导体,简称ADI 公司总部设在美国马萨诸塞州诺伍德市，A DI公司是业界认可的数据转换和信号处理技术全球领先的供应商， 作为领先业界40多年的高性能模拟集成电路（IC）制造商，ADI的产品用于模拟信号和数字信号处理领域。 ADI被评为“汤森路透全球百家创新企业”。是唯一获评全球最具创新力企业100强的模拟半导体公司 。

罗伯特·登纳德（Robert H. Dennard） 基础科技创新，永远是人类社会前进的驱动力之一。在现代基础科技进步史上，IBM公司不断留下了永久性的脚印。而IBM基础科技创新的核心理念之一就是拒绝“合群”，这就是“野鸭”精神。IBM公司历史上著名CEO小托马斯·J·沃森（Thomas J. Watson Jr.），以此来比喻那些具有创新精神的IBM员工，也就是那些拒绝飞行在“群体阵形”的跟随者。 2019年11月，IBM托马斯·沃森研究中心的研究员、被喻为内存之父的罗伯特·登纳德（Robert H. Dennard）博士被美国半导体行业协会（SIA）授予2019年半导体行业最高荣誉奖——Robert N. Noyce Award。正是登纳德于1966年构思了DRAM（动态随机存储存取器），才有了今天占据全球半导体产业1/4江山、千亿美元规模的内存市场，才有了后来的英特尔、AMD、三星、东芝、镁光、LG、英飞凌等一批半导体巨头公司。 登纳德于1972年又构思了著名的缩放定律（Dennard Scaling），由此奠定了摩尔定律的数学与物理基础，催生了后来更小、更经济、更可靠的存储器和高性能处理器，也实际上奠定了后来繁荣的半导体产业，推动世界进入了信息文明时代。2017年3月，在经过了近50年后，IBM研究员在《自然科学》上发表了可商用原子存储的阶段性研究成果

文章目录 14.1 半导体的导电特性 14.1.1本征半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 练习与思考 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.3.1基本结构 14.3.2伏安特性 14.3.3主要参数 14.1 半导体的导电特性 半导体, 导电能力介于导体和绝缘体间。 硅、锗、硒及大多数金属氧化物和 硫化物   有些半导体(钴、锰、镍等的氧化物)对温度的反应灵敏,温度增高时,导电能力要强很多。 做成各种热敏电阻。 有些半导体(如镉、铅等的硫化物与硒化物)受光照时, 导电能力变很强; 无光照时,又变得像绝缘体那样不导电。 做成了各种光敏电阻。   在纯浄的半导体中掺入微量的杂质后,导电能力就可增几十万乃至几百万倍。 纯硅中摻百万分之一的硼后,电阻率从 2 × 1 0 3 Ω ⋅ m 2\times 10^{3}\Omega\cdot m 2 × 1 0 3 Ω ⋅ m 减小到 4 x 1 0 − 3 4x10^{-3} 4 x 1 0 − 3 就做成不同用途的半导体器件, 二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管   半导体何以有如此悬殊的导电特性? 根本原因在于事物内部的特殊性。 简单介绍一下半导体物质的内部结构和导电机理。 14.1.1本征半导体 用得最多的半导体是锗和硅。 锗和硅的原子结构图,各有四个价电子,四价元素。 将锗或硅材料提纯(去掉无用杂质

PN结 1、P型半导体和N型半导体都是可以导电的，如图1、2所示。 图（1）P型半导体 图（2）N型半导体 P型半导体中空穴很多（大部分是掺杂的），所以空穴是P型半导体的多子，但也有少量的电子，这些电子是本征半导体激发的，因此电子是P型半导体中的少子； N型半导体中电子很多（大部分是掺杂的），所以电子是N型半导体的多子，但也有少量的空穴，这些空穴是本征半导体激发的，因此空穴是N型半导体中的少子； 如果外界温度升高时P型半导体和N型半导体内部的多子和少子都会增加，但是多子本来就很多，对总量影响较小；但对少子来说影响就不一样了，如果原来就2个少子，增加了2个那么就增加了1倍。因此温度对少子影响很大。 2、如果把P型半导体和N型半导体放到一起会出现什么呢？ 图（3）P型半导体和N型半导体放在一起的初始状态 P型半导体的空穴很多，N型半导体的电子很多，因此空穴会向N区扩散，电子会向P区扩散。 电子扩散到P区与空穴复合后都消失了，空穴扩散到N区和电子复合后也都消失了 。 图（4）扩散运动后P型半导体和N型半导体连接处的状态 如图4所示， P型半导体和N型半导体连接处产生了内电场，方向从右到左，这个电场阻碍扩散运动，也就是内电场阻值P区的空穴向N区扩散，也阻值了N区的电子向P区扩散。但是内电场会促进P区的空穴向N区漂移，N区的电子向P区漂移，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时

作业详解： CCD与CMOS简介： CCD: CCD是Charge Coupled Device(电荷耦合器件)的缩写，它是一种半导体成像器件，因而具有灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震动等优点。 CMOS: CCD与CMOS的工作原理： CCD摄像机工作方式：被摄物体的图像经过镜头聚焦至CCD芯片上，CCD根据光的强弱积累相应比例的电荷，各个像素积累的电荷在视频时序的控制下，逐点外移，经滤波、放大处理后，形成视频信号输出。视频信号连接到监视器或电视机的视频输入端便可以看到与原始图像相同的视频图像。 CCD芯片尺寸：CCD的成像尺寸常用的有1/2"、1/3"等，成像尺寸越小的摄像机的体积可以做得更小些。在相同的光学镜头下，成像尺寸越大，视场角越大。画素多寡与尺寸大小没有绝对关系,大多数的直观想法认为 CCD 的画素越大，所需空间应该越多，相对的 CCD 的面积尺寸应该越大!对照目前的生产技术来说，这个观念是『对』也是『不对』。事实上，画素开口面积大小与线路布局精细度才是影响 CCD 尺寸的关键因素;也就是说，当制程技术越精密，线路所需占得的空间就越小，相对画素开口面积固定下，可以靠得更紧密，也就可以达到进一步缩小面积的目的。 此外，五百万画素的表现是否一定优于四百万画素，其实也不尽然，端看 CCD 的设计布局。5MP:1/1.8英吋 v.s. 4MP：1/1.8英吋

回顾2019，整个SSD市场被降价浪潮席卷，不少价格甚至下杀到了0.6元每G，到了年末，才开始有所回升。这波降价浪潮中，一方面与市场形势有关，另一方面也与新技术、新产品的更新与迭代不无关系。那么在新的一年，SSD的市场走向会是怎么样的？今天，宏旺半导体就来和大家来展望一下，2020年SSD会有哪些特征与变化？ 据宏旺半导体了解，前几年由于技术和价格的关系，固态硬盘市场由小容量型号占主流。大部分消费者在选购SSD的时候，都以128GB和256GB的SSD为主。随着不少厂商量产3D NAND，大容量SSD的单价变得越来越具有吸引力，在未来，512GB的SSD或将成为主流。 众所周知，目前市面上常见的接口协议大致可以分为两种，分别是近几年大肆普及的NVMe和日渐势微的AHCI。2009年之前，AHCI作为SATA串行接口上的规范，一直被各大厂家使用。而随着时间的推移，SSD的性能日益提高，SATA接口也越来越难满足SSD的速度。与机械硬盘不同，部分SSD已经严重受到了SATA瓶颈的限制，无法突破速度极限。 对比于SATA SSD，M.2 NVMe SSD的体积会更加小巧，再加上其售价比SATA SSD贵不了多少，受到越来越多人的青睐，出货量处于持续增加的状态。宏旺半导体推出的M.2 NVME SSD N800 TX系列，具有体积小、静音、超高的读写性能、启动速度快、抗振耐冲击等优势

最近在学数字电路，遇到三极管了，顺道将模拟电路三极管再复习一下先从pn结开始 将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结 在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。 当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。 在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过（此时也叫正向偏置）。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极