CMOS管功耗 = 动态功耗 + 静态功耗
动态功耗有两种表述，两种表述的区别之处在于：把对管子内部电容充放电消耗的功耗归于谁，第一种表述常见于理论分析，第二种表述常见于EDA工具功耗计算。
第一种表示：
-
动态功耗 = 开关功耗 + 短路功耗
开关功耗：指管子在翻转过程中对『相关电容』进行充放电消耗的功耗，此处『相关电容』包含管子内部结点电容和负载电容。
短路功耗：指管子在翻转过程中，PMOS和NMOS同时导通，从电源VDD到地VSS之间短路通路消耗的功耗。
第二种表示：
负载功耗：指管子在翻转过程中对『负载电容』进行充放电消耗的功耗。
内部功耗：指管子在翻转过程中，对内部结点电容进行充放电消耗的功耗及短路电流消耗的功耗。
EDA工具计算动态功耗时，会分别计算内部功耗和负载功耗。
在library中会分别定义cell的rise_power 和fall_power。通常，在90nm之后对每个cell 会根据每个输入pin的状态和每条timing arc分别定义内部功耗，即所谓的：path dependencies internal power。库一定的情况下，每个EDA工具的计算公式应该大差不差，此处以Genus的计算公式为例：
-
。
-
Cj是输出pin的负载电容。
负载功耗：此处的负载包括这个cell 驱动的所有net 和所有sink cell输入pin的电容，其计算公式为：
来源：博客园
作者：春风一郎
链接：https://www.cnblogs.com/lelin/p/11410087.html