eeprom

一、将数据写入Flash void write_DATAFLASH_BYTE(UINT16 u16_addr,UINT8 u8_data) { //Erase APROM DATAFLASH page //Save changed RAM data to APROM DATAFLASH } 二、将数据从Flash读出 UINT8 read_APROM_BYTE(UINT16 u16_addr) { IAPCN = 0x00; rdata = 0x00; rdata = IAPFD; Trigger_IAP(); clr_IAPEN; } 文章来源: N76E003模拟EEPROM方法

简单生成代码后找到MDK的驱动文件 官方建议步骤 #####数据EEPROM编程功能##### =============================================================================== [..]擦除或编程的任何操作都应遵循以下步骤： （＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock（）函数启用数据EEPROM访问 和Flash程序擦除控制寄存器访问。 （＃）调用所需的功能来擦除或编程数据。 （＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock（）来禁用数据EEPROM访问 和Flash程序擦除控制寄存器访问（推荐 保护DATA_EEPROM免受可能的意外操作）。 实验总结，只需要三步解锁 写入数据（擦除也是写入数据只不过写的是0x00） 上锁（建议上锁，其实没啥用，不用问题不是很大） void Program_EEPROM ( void ) { uint32_t data = 0x12345678 ; HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock (); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program ( FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD , 0x08080000 , data ); HAL_FLASHEx

I'm working on an Arduino library that will maximize the life of the AVR's EEPROM. It takes the number of variables you want to store and does the rest. This is my attempt, which does not work in all cases. Background information Atmel says each memory cell is rated for 100,000 write/erase cycles. They also provide an application note , which describes how to perform wear levelling. Here is a summary of the application note. By alternating writes across two memory addresses, we can increase the erase/write to 200,000 cycles. Three memory addresses gives you 300,000 erase/write cycles and so on

实现米思齐的数码管图形化编程 一、实验目的及要求 【实验一】实现滚动显示自定义字符串。 【实验二】实现显示自定义时间。 【实验三】实现显示秒表。 二、实验软硬件环境 硬件：Arduino、TM1637数码管 软件：Mixly IDE 三、实验代码 【实验一】实现滚动显示自定义字符串。 #include < SevenSegmentTM1637 . h > SevenSegmentTM1637 display ( 4 , 9 ) ; void setup ( ) { display . begin ( ) ; display . setBacklight ( 20 ) ; } void loop ( ) { display . print ( "136a" ) ; } 【实验二】实现显示自定义时间。 #include < SevenSegmentExtended . h > #include < SevenSegmentTM1637 . h > SevenSegmentExtended display ( 4 , 9 ) ; void setup ( ) { display . begin ( ) ; display . setBacklight ( 20 ) ; } void loop ( ) { display . printTime ( 12 , 30 , HIGH ) ; }

支持qt5.10 单片机中为什么有了Flash还有EEPROM EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Prog ram mable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。 Flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它Flash。 很多应用中， 需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的EEPROM在此非常适合， 所以很多MCU内部设计了两种EEPROM结构，FLASH的和传统的以期获得成本和功能的均衡，这极大的方便了使用者 来源： https://blog.csdn.net/weixin_42269817/article/details/102722596

1、什么是存储器？存储器的分类有哪些？ 　　存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。 　　按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）, 也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。 　　按读写功能存储器可分为只读存储器(ROM)和随机读写存储器(RAM)两种。ROM存储的内容是固定不变的，它是只能读出而不能写入的半导体存储器; RAM是既能读出又能写入的半导体存储器。当机器电源关闭时，ROM仍然可以保持数据，而存于RAM中的数据则会丢失。 　　在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。 　　我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上

Suppose there is a bug in a Java Card applet: a temporary byte array is stored in EEPROM instead of RAM. Moreover, suppose this byte array is overwritten with each APDU. This bug should damage the card sooner or later. What symptoms could we expect? Incorrect values in the array without any explicit warnings or errors? Some exceptions thrown when accessing this array? The applet unselectable? The whole card completely unresponsive? Should the card be damaged "once and forever", or will these failures occur more and more often? In my experiment (J2E145) there was the first failure after 5 000

大幅度发 来源： https://www.cnblogs.com/h1019384803/p/11518241.html

初学MCU的人，经常会看到ROM, RAM, FLASH，而且会被这些词汇搞得晕头转向。本文对这些概念进行了厘清，并介绍了这些Memory的区别，以及它们在MCU中的作用。 ROM (Read Only Memory)程序存储器 ROM全称Read Only Memory，顾名思义，它是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。ROM中所存数据稳定，一旦存储数据就再也无法将之改变或者删除，断电后所存数据也不会消失。其结构简单，因而常用于存储各种固化程序和数据。 在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、‘const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。 为了便于使用和大批量生产，进一步发展出了可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）。EPROM需要用紫外线长时间照射才能擦除，使用很不方便。1980s又出现了电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），它克服了EPROM的不足，但是集成度不高、价格较贵。于是又发展出了一种新型的存储单元结构同EPROM类似的快闪存储器（FLASH MEMORY）。FLASH集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得了快速发展。