STM32HAL内部EEPROM读写L151

简单生成代码后找到MDK的驱动文件

官方建议步骤
#####数据EEPROM编程功能#####

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[..]擦除或编程的任何操作都应遵循以下步骤：
（＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock（）函数启用数据EEPROM访问
和Flash程序擦除控制寄存器访问。
（＃）调用所需的功能来擦除或编程数据。
（＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock（）来禁用数据EEPROM访问
和Flash程序擦除控制寄存器访问（推荐
保护DATA_EEPROM免受可能的意外操作）。

实验总结，只需要三步解锁
写入数据（擦除也是写入数据只不过写的是0x00）
上锁（建议上锁，其实没啥用，不用问题不是很大）

void Program_EEPROM(void) {     uint32_t data = 0x12345678;        HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();      HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program( FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD,  0x08080000,  data);     HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program( FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD,  0x08080000 + 4,  data);          HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(FLASH_TYPEERASEDATA_WORD, 0x08080000);          HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); }

FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD 是数据类型，可以是Program word (32-bit) at a specified address OR Program word (16-bit) at a specified address OR Program word (8-bit) at a specified address
0x08080000 是地址，在官方手册中，可以查到。
data 是写入的数据
实际运行效果

擦除也是写入

/**   * @brief  Erase a word in data memory.   * @param  Address specifies the address to be erased.   * @param  TypeErase  Indicate the way to erase at a specified address.   *         This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Program   * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function   *         must be called before.   *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access   *         and Flash program erase control register access(recommended to protect    *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).   * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status   */ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t TypeErase, uint32_t Address) {   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;      /* Check the parameters */   assert_param(IS_TYPEPROGRAMDATA(TypeErase));   assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));      /* Wait for last operation to be completed */   status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);      if(status == HAL_OK)   {     /* Clean the error context */     pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;      if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_WORD)     {       /* Write 00000000h to valid address in the data memory */       *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;     }      if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_HALFWORD)     {       /* Write 0000h to valid address in the data memory */       *(__IO uint16_t *) Address = (uint16_t)0x0000;     }      if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_BYTE)     {       /* Write 00h to valid address in the data memory */       *(__IO uint8_t *) Address = (uint8_t)0x00;     }      status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);   }       /* Return the erase status */   return status; }

不懂的可以搜索指针强制类型转换学习一下。

读取数据
读取数据参照上面擦写部分，只需要反过来就好了。

data_8bit = *(__IO uint8_t *) Address；
data_16bit = *(__IO uint16_t *) Address；
data_32bit = *(__IO uint32_t *) Address；

我有几个问题比较疑惑
重新下载会擦除这部分区域吗？
答：这部分除非是进行特意擦除这个部分才会失去数据，其他方式均不会影响这部分的数据，比如，烧录程序，清空程序。
flash也可以用一样的函数吗？
个人觉得不行，flash是按页分的，EEPROM可以按字节编辑，所以肯定有区别。（未进行实验，也没什么意义）
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来源：51CTO

作者：EmbededDriver

链接：https://blog.csdn.net/u012308586/article/details/100762902

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eeprom