AO4423二三事
一般说明
AO4423采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低的低栅极电荷，栅极额定值为25V。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它受到E8D保护。 AO4423L（绿色产品）提供无铅封装.A04423无铅（符合ROHS和Sony 259规格）.A04423L是绿色产品订购选项。 AO4423和A04423I电气相同。
特征
VDS(V)=-30V
ID=-15A
RDS(ON)<7mS2(VGS=-20V)
RDS(ON)<8.5m2(VGS=-10V)
ESD Rating:6000V HBM
规格参数
制造商：ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
晶体管类型：P-MOSFET
极化：单极
漏极-源极电压：-30V
漏极电流：-14A
耗电：2W
封装：SO8
栅极-源极电压：±25V
开启状态电阻：7.2mΩ
安装：SMD
栅极电荷：47nC
通道种类：增强