1 FMC
STM32F429以外的控制器中，只有FSMC（可变静态存储控制器），不能驱动SDRAM这样的动态存储器，因为驱动SDRAM时需要定时刷新。STM32F429的FMC才支持该功能，且只支持普通的SDRAM，不支持DDR类型的SDRAM。
FMC可以用于驱动SRAM、SDRAM、NOR FLASH以及NAND FLASH类型的存储器。
1.1 通信引脚
| SDRAM引脚 | FMC引脚 | 说明 |
| CLK | FMC_SDCLK | 同步时钟信号 |
| CKE | FMC_SDCKE1 | 时钟使能信号 |
| CS | FMC_SDNE1 | 片选信号 |
| CAS | FMC_NCAS | 列地址选通 |
| RAS | FMC_NRAS | 行地址选通 |
| WE | FMC_SDNWE | 写使能 |
| DQM[0:1] | FMC_NBL[0:1] | 数据输入/输出掩码信号 |
| BA[0:1] | FMC_A[14:15] | SDRAM芯片内部Bank地址输入 |
| A[0:11] | FMC_A[0:11] | 地址输入 |
| DQ[0:15] | FMC_D[0:15] | 数据输入/输出 |
CKE和CS作用：
FMC_SDCKE0，FMC_SDCLK0：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank1
FMC_SDCKE1，FMC_SDCLK1：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank2
1.2 地址映射
FMC_SDCKE0，FMC_SDCLK0：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank1（0xC000 0000~0xCFFF FFFF）
FMC_SDCKE1，FMC_SDCLK1：FMC映射的SDRAM的存储区域Bank2（0xD000 0000~0xDFFF FFFF）
注意：这里的Bank和上面所讲的SDRAM芯片内部存储区域Bank1~4是不一样的概念。
2 SDRAM控制原理
2.1 SDRAM信号线
2.2 SDRAM地址线
SDRAM包含有“A”以及“BA”两类地址线：
A：行（Row）与列（Column）共用的地址线
BA：独立的用于指定SDRAM芯片内部存储阵列号（Bank）
通讯时，当RAS=0，则“行地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被输入到“行地址译码器”中，行地址被选中；同时地址线BA[1:0]表示的Bank也被锁存，选中要操作的Bank号；接着CAS=0，则“列地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被输入到“列地址译码及锁存器”中作为列地址，完成寻址过程。
2.3 SDRAM数据线
IS45s16400J存储阵列的“数据宽度”是16位，但在实际应用中也可能会以8位宽度存取数据，这时我们只需要DQ[7:0]表示数据，而DQ[15:8]数据线表示的数据必须忽略。所以数据输入输出时，还会使用DQM[1:0]来配合，每根DQM线对应8位数据。如DQM0=0，DQM1=1时，数据线DQ[7:0]表示数据有效，而DQ[15:8]表示数据无效。
2.4 SDRAM容量计算
已知IS45s16400J芯片行地址12根线，列地址8根，4个Bank，位宽16bit。
可以计算出：
SDRAM的总单元数 =（2^行地址选择线）*（2^列地址选择线）*Bank选择线=2^(12+8)*4=2^10*4=1M bits*4
SDRAM总容量 = 单元数*位宽=1M bits*4*16=64M bits = 8MB(Bytes)
2.5 SDRAM的命令
（1）命令禁止
（2）空操作
（3）行有效
（4）列读写
（5）预充电
（6）刷新
（7）加载模式寄存器
2.6 SDRAM初始化流程
（1）给SDRAM上电，并提供稳定的时钟，至少100us
（2）发送“空操作”（NOP）命令
（3）发送“预充电”（PRECHARGE）命令，控制所有Bank进行预充电，并等待tPR时间
（4）发送至少2个“自动刷新”（AUTO REFRESH）命令，每个命令后等待tRFC时间
（5）发送“加载模式寄存器”（LOAD MODE REGISTER）命令，配置SDRAM工作参数，并等待tMRD时间
（6）初始化完成，开始读写数据。
2.7 SDRAM的读写流程
来源：oschina
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