STM32读写内部Flash

目录

• 写Flash的流程
• 写Flash的注意事项
• 分页错误
• 起始、终止地址

写Flash的流程

（1）解锁
由于程序代码都存储在内部Flash中，因此，STM32本身的Flash平时是锁住的，在写Flash之前要先解锁，控制解锁的寄存器是FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR：
FLASH->KEYR = 0x45670123;
FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;
固件库里有FLASH_Unlock();解锁函数，可以直接使用。

（2）按页擦出
Flash只支持按页擦出，不同型号的产品每页的大小不同，以STM32F1xx系列为例，小容量和中容量的产品型号每页大小1kByte，大容量产品型号每页2kByte。固件库中也有擦出函数：FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)。

（3）使用FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)函数写入即可

写Flash的注意事项

分页错误

编写程序，向最后一页写入数字20，在读取该地址的数据printf到串口助手，得到数值7，原因：起始终止地址设置错误：WRITE_START_ADDR，WRITE_END_ADDR 。

起始、终止地址

如表1所示，F1系列产品的大容量的地址分页：

表1[1]：STM32F1xx大容量型号的主存储器分页
表格中最后一页为0x0807 F800 - 0x0807 FFFF，程序中也写为：

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#define WRITE_START_ADDR  ((uint32_t)0x0807F800)
#define WRITE_END_ADDR    ((uint32_t)0x0807FFFF)

结果出错。原因如下：
代码中有如下几句：

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  while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
  {
    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
    Address = Address + 4;
  }

由于Address < WRITE_END_ADDR用的是小于号，因此正确的起始终止地址应为：

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#define WRITE_START_ADDR  ((uint32_t)0x0807F800)
#define WRITE_END_ADDR    ((uint32_t)0x08080000)

作者：伏熊（专业：射频芯片设计、雷达系统。爱好：嵌入式。欢迎大家项目合作交流。）
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引用
[1]：STM32F10xxx闪存编程参考手册，ST Microelectronics，2008年译

来源：https://blog.csdn.net/mzldxf/article/details/102760970