整流

单相桥式半控整流电路，有续流二极管，阻感负载时的电路 单相桥式半控整流电路，有续流二极管，阻感负载时的波形 ■ 与全控电路在电阻负载时的工作情况相同。 ■ 带电感负载 ◆ 电路分析（先不考虑 VDR ） ☞ 每一个 导电回路 由 1 个晶闸管 和 1 个二极管 构成。 ☞ 在 u 2 正半周， a 处触发 VT 1 ， u 2 经 VT 1 和 VD 4 向负载供电。 ☞ u 2 过零变负时，因电感作用使电流连续， VT 1 继续导通，但因 a 点电位低于 b 点电位，电流是由 VT 1 和 VD 2 续流 ， u d =0 。 ☞ 在 u 2 负半周， a 处触发触发 VT 3 ，向 VT 1 加反压使之关断， u 2 经 VT 3 和 VD 2 向负载供电。 ☞ u 2 过零变正时， VD 4 导通， VD 2 关断。 VT 3 和 VD 4 续流， u d 又为零 。 ◆ 续流二极管 VD R ☞ 若无续流二极管，则当 a 突然增大至 180 ° 或触发脉冲丢失 时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况，这使 u d 成为 正弦半波 ，即半周期 u d 为正弦，另外半周期 u d 为零，其平均值保持恒定，相当于单相半波不可控整流电路时的波形，称为 失控 。 ☞ 有 续流二极管 VD R 时，续流过程由 VD R 完成，避免了失控的现象。 ☞

很显然，是带阻感负载的，先列写出对应的电路图。 单相桥式全控整流电路， U 2 =100V ，负载中 R=2Ω ， L 值极大，反电势 E =60V ， a =30 ° 首先，作出 u d 、 i d 和 i 2 的波形 由于存在反电动势，所以会有 角。（先不考虑反向电动势） 所以，大致的图应该是 ： ud 、 i d 和 i 2 的波形图 求整流输出平均电压 U d 、电流 I d ，变压器二次侧电流有效值 I 2 ； U d ＝ 0.9 U 2 cos a ＝ 0.9×100×cos30° ＝ 77.97(A) I d ＝ ( U d － E )/R ＝ (77.97 － 60)/2 ＝ 9(A) I 2 ＝ I d ＝ 9(A) 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 首先，我们知道晶闸管承受的最大反向电压是 晶闸管承受的最大反向电压为： U 2 ＝100 ＝141.4 （ V ） 流过每个晶闸管的电流的有效值为： I VT ＝ I d ∕ ＝ 6.36 （ A ） 故晶闸管的额定电压为： U N ＝ (2~3)×141.4 ＝ 283~424 （ V ） 晶闸管的额定电流为： I N ＝ (1.5~2)×6.36∕1.57 ＝ 6~8 （ A ） 晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。 来源： CSDN 作者： Andres_Lionel 链接：

电力电子技术总结 第二章 1 电力电子器件工作在开关状态， 为了减小损耗 。通态损耗，断态损耗，开关损耗。 2 不可控器件—电力二极管，利用单向导电性，可以在交流变直流过程中实现整流。和电 感在一起，一般是为了实现续流。二极管具有 电导调制效应 —当二极管两端电流发生变化， 其压降不变。 3 半可控器件（控开不控关）—晶闸管，四个特性， 晶闸管导通的两个条件：（1承受正向电压，2有触发脉冲），关断：电流为0； 应用场合：整流，交交变换，电流源型逆变电路； 额定电压：断态峰值额定电压，反向峰值额定电压，谁小谁做额定电压。电路的最大值不能超过额定电压/安全裕量。 额定电流：安全裕量*通态平均电流，(通态平均电流=电流有效值/1.57) 晶闸管派生器件（均为 半 控型器件）：快速晶闸管，双向晶闸管， 逆导晶闸管（不具备承 受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通）。 4 门极可关断晶闸管（ GTO ），全控型器件。 开通：门极加正脉冲，形成正反馈；关断：门极加负脉冲，形成 正 反馈。 最大可关断阳极电流的意义：能通过控制门极关断 GTO 时的最大电流。如果流过的电流超过最大可关断阳极电流，晶闸管也 不 一定会烧坏，但是不能通过门极控制其关断。 5 电力场效应晶体管（电力 MOSFET ），全控型器件，它是开关频率最高的器件。 6 绝缘栅型晶体管（ IGBT ），全控型器件。 应用场合

电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。 一、半波整流电路 　　 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器 B 、整流二极管 D 和负载电阻 R fz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压 e2 , D 再把交流电变换为脉动直流电。 　 　 　　下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。 　　变压器砍级电压 e2 ,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内, e2 为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通, e2 通过它加在负载电阻 R fz 上,在 π~2π 时间内, e2 为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时 D 承受反向电压,不导通, R fz ,上无电压。在 π~2π 时间内,重复 0 ~π 时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复 π~2π 时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过 R fz ,在 R fz 上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压 U sc 。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此

转自：http://www.elecfans.com/dianlutu/dianyuandianlu/20180511675801.html USB充电器套件，又名MP3/MP4充电器，输入AC160-240V，50/60Hz，额定输出：DC5V。 250mA（标签贴纸为500mA，如果要长期输出更大电流，请更换Q1为13003）。MP3和MP4在全国范围大量流行，不过作为日常用品的充电器由于直接和220V高压相连，具有故障率较高，容易损坏的特点，特别是买到那些不成熟的产品后，真是苦不看言。 下面是对着实物绘制的图：（电路板上有多种元件安装方法，安装请与原理图、实物图为准，PCB板上有些元件孔是不要安装的，有些元件要装在别的元件孔上，这点请注意！） 说明： 为了简化电路，达到学习目地，图中用1欧的电阻F1起到保险丝的作用，用一个 二极管 D1完成整流作用。接通后，C1会有300V左右的直流电压，通过R2给Q1的基极提供电流，Q1的发射极有R1电流检测电阻R1，Q1基极得电后，会经过T1的（3、4）产生集电极电流，并同时在T1的（5、6）（1、2）上产生感应电压，这两个次级绝缘的圈数相同的线圈，其中T1（1、2）输出由D7整流、C5滤波后通过USB座给负载供电；其中T1（5、6）经D6整流、C2滤波后通过IC1（实为4.3V稳压管）、Q2组成取样比较电路，检测输出电压高低；其中T1

　　一、什么是整流二极管 　　整流二极管一种能够将交流电能转变为直流电的半导体器件。整流二极管广泛用于各种电源整流电路中，我们选择整流二极管时，主要考虑的是它的最高反向工作电压VR、最大平均整流电流IF、最大反向工作电流IR、最高工作频率fm及反向恢复时间trr等参数。 　　二、整流二极管代换原则 　　电源有低频也有高频，对于串联型稳压电源，这是一种当输入或输出变化时，通过连续性调整功率管压降来获得稳定的输出电压的一种电源，这种调整管工作时候处于线性放大状态，这种电路对于整流二极管反向恢复时间要求不是很高，因此这种电源整流二极管只要满足最大整流电流。最大反向工作电压以及最大反向工作电流等基本要求就可以了，例如我们经常使用的1N400X系列二极管等。 　　但是对于开关型稳压电源，它是通过调整功率管的导通或者截止来获得稳定的输出电压，这货在那个调整管工作于饱和导通状态，它的整流电路对于使用的整流二极管工作频率相对较高，另外反向恢复时间也要求较短，这时候需要选择快恢复二极管，甚至肖特基二极管。 　　因此，总结一下，对于整流二极管代换可以考虑几个原则： 　　①最大平均整流电流大的整流二极管可以代替整流电流小的二极管代替，反过来就不行；②反向工作电压高的整流二极管可以代替反向电压低的整流二极管，反过来就不行；③工作频率高的整流二极管可以代替工作频率低整流二极管，反过来就不行。 　

深度前馈网络 前向 网络 隐藏层 神经 1 学习XOR 2 基于梯度的学习 代价函数 输出单元 用于高斯输出分布的线性单元 基于伯努利输出分布的 sigmoid 单元 用于multinouli 输出分布的softmax单元 3 隐藏单元 整流线性单元及其扩展 4 架构设计 5 反向传播 和其他微分算法 6 历史小计 前向 信息流过 x 的函数，流经用于 定义 f 的中间计算过程，最终到达输出 y。 网络 前馈神经网络被称作网络 (network) 是因为它们通常用许多不同函数复合 在一起来表示。 隐藏层 训练数据并没有给出 这些层中的每一层所需的输出，所以这些层被称为隐藏层 (hidden layer)。 神经 这些网络被称为神经网络是因为它们或多或少地受到神经科学的启发。 我们最好将前馈神经网络想成是为了实现统计泛化而设计出 的函数近似机器，它偶尔从我们了解的大脑中提取灵感但是并不是大脑功能的模型。 1 学习XOR XOR 函数(‘‘异或’’ 逻辑)是两个二进制值 x1 和 x2 的运算。这些二进制值 中恰好有一个为 1 时，XOR 函数返回值为 1。其余情况下返回值为 0。 2 基于梯度的学习 代价函数 深度神经网络设计中的一个重要方面是代价函数的选择。幸运的是，神经网络的代价函数或多或少是和其他参数模型例如线性模型的代价函数相同的 输出单元

一、基本概念 　　二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出电极称为正极或阳极，N区引出的电极称为负极或阴极。 1、二极管的伏安特性 　　二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。 　　　　　　　　　　 2、正向特性 （1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线0A称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5V,锗的死区电压约为0.2V，该电压又称为门坎电压或阈值电压 （2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电厂几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加，正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，福安关系近似线性，处于充分导通状态。 （3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V. 3、反向特性 （1）二极管承受反向电压时，加强了PN结内的内电场，二极管呈现很大电阻，此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段位反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中