三极管开关电路

定义： 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两 个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分 是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 特性： 三极管最主要就是线性放大作用，在电路中用做放大器，另 外，在一定条件下还起开关作用。 来源： https://www.cnblogs.com/qq376142178/p/12596457.html

继电器电路要注意的问题 1、驱动三极管的功率 （1）继电器的正常工作电流与瞬间驱动电流不一样，例如TE EV200系列继电器，正常工作电流是138ma,驱动瞬间（一百多毫秒）电流是3.8A （2）三极管的最大电压与最大电流的乘积，并不是其额定功率（非线性的） mmbt4401的最大电流是600mA,最大耐压值40V, 但最大功率为300mW。我在使用mmbt4401驱动EV200（此时没有意识到驱动瞬间电流是3.8A，而非130ma）时，程序一直是打开动作，但继电器一直在响，不到一秒后，三极管开始喷黑烟。去掉继电器，再检测三极管工作状况，还能正常打开和关闭。这大概是功率不足，三极管刚要拉起继电器开关，三极管的功率就超负荷了，然后被迫释放，释放完后由于控制端还是维持打开三极管，因此又继续拉起继电器，响声大概是这样产生的。黑烟是由于超负荷的原因吧？但三极管喷了那么多黑烟（喷了十几次）还没完全损坏，大概和耐压值与最大电流值没有超过有关。以上纯粹是猜想，没做验证，但现象是真实的。 2、关于继电器断开瞬间的反电动势 电感线圈感应电动势和它两端的电压等大反向？并非如此 自感电势与电感大小、电流变化快慢有关系。那为什么书上写电感线圈感应电动势和它两端的电压等大反向呢？ 来源： https://www.cnblogs.com/Baron-Lu/p/10760529.html

可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产品中，如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响等。 其原理图符号如下图所示： 从可控硅的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，只是多了一个控制极G，正是它使得可控硅具有与二极管完全不同的工作特性。可控硅是可以处理耐高压、大电流的大功率器件，随着设计技术和制造技术的进步，越来越大容量化 。 可控硅的基本结构如下图所示： 　三个PN结（J1、J2、J3）组成4层P1-N1-P2-N2结构的半导体器件对外有三个电极，由最外层P型半导体材料引出的电极作为阳极A，由中间的P型半导体材料引出的电极称为控制极G，由最外层的N型半导体材料引出的电极称为阴极K，它可以等效成如图所示的两只三极管电路。 下面我们来看看可控硅的工作原理： 如下图所示，初始状态下，电压V AK 施加到可控硅的A、K两个端，此时三极管Q1与Q2都处于截止状态，两者地盘互不侵犯。 此时V AK 电压全部施加到A、K两极之间，这个允许施加的最大电压V AK 即 断态重复峰值电压 V DRM （Peak

首先看看 继电器 的驱动 这是典型的继电器驱动 电路 图,这样的图在网络上随处可以搜到,并且标准教科书上一般也是这样的电路图 为什么要明白这个图的原理? 单片机 是一个弱电器件,一般情况下它们大都工作在5V甚至更低.驱动 电流 在mA级以下.而要把它用于一些大功率场合,比如控制 电动机 ,显然是不行的.所以,就要有一个环节来衔接,这个环节就是所谓的"功率驱动".继电器驱动就是一个典型的、简单的功率驱动环节.在这里,继电器驱动含有两个意思:一是对继电器进行驱动,因为继电器本身对于单片机来说就是一个功率器件; 还有就是继电器去驱动其他负载,比如继电器可以驱动 中间继电器 ,可以直接驱动 接触器 ,所以,继电器驱动就是单片机与其他大功率负载 接口 .这个很重要,因为,一直让我们的电气工程师(我指的是那些没有学习过相应的电子技术的)感到迷惑不解的是:一个小小的芯片,怎么会有如此强大的威力来控制像电动机这样强大的东西? 怎么样理解这个电路图? 要理解这个电路,其实也比较容易.那么请您按照我的思路来,应该没有问题: 首先的,里面的 三极管 很重要.三极管是电子电路里很重要的一个元件.怎么样理解三极管呢? 简单的来说三极管有两个作用一个是放大作用,一个是 开关 作用.(严格来讲开关作用是放大作用的极限情况,不过没关系,把两者分开,更便于理解它的工作原理).在这里

漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。 这种输出用的是一个场效应三极管或金属氧化物管（MOS），这个管子的栅极和输出连接，源极接公共端，漏极悬空（开路）什么也没有接，因此使用时需要接一个适当阻值的电阻到电源，才能使这个管子正常工作，这个电阻就叫上拉电阻。 漏极开路输出，一般情况下都需要外接上拉电阻，以使电路输出呈现三态之高阻态，例如，在有些芯片的引脚就定义为漏极开路输出；还有一些带漏极开路输出的反向器等都需要外接上拉电阻才能正常工作。 三极管（共射极）在数字电路中用到它的截止区和饱和区，因为在数字电路中输入信号是大幅度的脉冲信号，当输入为低时，三极管工作在截止区，输出Vce为高。当输入为高时，三极管工作在饱和区，输出Vce为低。 A：我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极管为反相之用，使输入为“0”时，输出也为“0”）。对于图1，当左端的输入为“0”时，前面的三极管截止（即集电极C跟发射极E之间相当于断开），所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上，右边的三极管导通（即相当于一个开关闭合）；当左端的输入为“1”时，前面的三极管导通，而后面的三极管截止（相当于开关断开）。 我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制，“1”时断开，“0”时闭合

1.基极必须串接电阻，保护基极，保护CPU的IO口。 2.基极根据PNP或者NPN管子加上拉电阻或者下拉电阻。 3.集电极电阻阻值根据驱动电流实际情况调整。同样基极电阻也可以根据实际情况调整。 基极和发射极需要串接电阻，该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止，极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后能够满足晶体管的临界饱和， 实际选择时会大大高于这个极小值， 通常外接干扰越小、负载越重准许的阻值就越大，通常采用10K量级。 防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠! 三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时)，加下拉电阻，就能使有效接地。 特别是GPIO连接此基极的时候，一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候，此GPIO的内部也处于一种上电状态，很不稳定，容易产生噪声，引起误动作!加此电阻，可消除此 影响(如果出现一尖脉冲电平，由于时间比较短，所以这个电压很容易被电阻拉低;如果高电平的时间比较长，那就不能拉低了，也就是正常高电平时没有影响)! 但是电阻不能过小，影响泄漏电流!(过小则会有较大的电流由电阻流入地) 当三极管开关作用时,ON和OFF时间越短越好,为了防止在OFF时,因晶体管中的残留电荷引起的时间滞后,在B,E之间加一个R起到放电作用。 来源： https://www.cnblogs.com

/**************************************************************************//** * @file main.c * @version V3.00 * $Revision: 3 $ * $Date: 15/09/02 10:03a $ * @brief Demonstrate how to set GPIO pin mode and use pin data input/output control. 演示如何设置GPIO引脚模式并使用引脚数据输入/输出控制。 * @note * Copyright (C) 2013~2015 Nuvoton Technology Corp. All rights reserved. * ******************************************************************************/ #include "stdio.h" #include "M451Series.h" #include "NuEdu-Basic01.h" #define PLL_CLOCK 72000000 void SYS_Init(void) { /*----------------------------------------------

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）

三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的 LED 小灯部分，就有这个三极管的应用了，下图 的 LED 电路中的 Q16就是一个 PNP 型的三极管。 三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，本课程就用硅管的参数来进行讲解。三极管有 2 种类型，分别是 PNP 型和 NPN 型。先来认识一下，如下图 三极管一共有 3 个极，从上图来看，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e(emitter)，那剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)了。这是必须要记住的内容，死记硬背即可，后边慢慢用的多了，每次死记硬背一次，多次以后就会深入脑海了。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法我给大家总结了一句口诀，大家要把这句口诀记牢了：箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。 下面我们一句一句来解析口诀。三极管有 2 种类型，箭头朝内就是PNP

转自 http://www.shinian10.com/article.asp?id=577 当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。 一、三极管的类型及材料 　　初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 　　三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降