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内存重要参数详解 RAS CAS 分类： LINUX 2014-09-12 09:41:58 原文地址： 内存重要参数详解 RAS CAS 作者： Reny http://blog.chinaunix.net/u/9205/showart_1091970.h 时序 　　内存的时序参数一般简写为 2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识 有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。 CMD Rate 　 　Command Rate译为“首命令延迟”，这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择(通过 DIMM上CS片选信号进行)。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。 　　用更通俗的说 法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其 CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank

内存系列二：深入理解硬件原理 https://www.cnblogs.com/tcicy/p/10087457.html忘记转这一篇了 内存相关的东西 其实理解了挺好的..cache还有main memory 本篇文章承接上文继续介绍DDR内存的硬件原理，包括如何寻址，时序和时延以及可以为提高内存的效能可以有哪些方法。 上次虽然解决了小张的问题，却引发了他对内存原理的兴趣。这不他又来找我了，说我还欠他一个解释。这次我们约在一个咖啡馆见面，这次内容有点深入，我带了些图片，小张也点了一大杯美式，计划大干一场。看着他认真的样子，我也决定毁人不倦，把他也带入IT工程师的不归路。。。 寻址(addressing) 为了了解前几天说的几个延迟参数，不得不介绍下DIMM的寻址方式。也许你发现了上次介绍Rank和chip的关系时，有个Bank/Column/row我们没有讲到，它们和如何寻址密切相关。还记得上次的图片吗？ 这次我们来看看rank和Chip里面有什么，如下图： 这是个DDR3一个Rank的示意图。2GB的内存共有16个chip，每个chip容量为128MB。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了