nand

一、nand flash访问原理 　　地址空间概念 　　nand的编址 　　nand命令　　　　　　　　 命令，地址，数据 　　使用S3C2440的nand flash控制器访问nand flash 前几个编译出来的文件都小于4k，读出来放到SDRAM中去 SDRAM、dm9000地址-->2440地址 nand 没有地址总线 片内内存；SDRAM；网卡；寄存器 都是CPU统一编址 写地址，读数据 连续读一页 只进行了读操作，擦除，oob访问都没有 二、源码分析 　　 RAM (Random Access Memory随机存贮器）是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储单元地址无关的可以读写的存储器。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中，都是采用RAM作为主存。 　　 SRAM 不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而 DRAM （ Dynamic Random Access Memory) 每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 来源： https://www.cnblogs.com/xubeiping0930/p

@(Steam蒸汽动力)[MHRD|Game|How To] [CH]游戏解决方案 1.解决方案将作为完整的代码呈现，部分结决方案将有理论分析或图解。 2.根据记录板判断，解决方案远非理想。 3.慎重考虑直接参考解决方案 附：我们欢迎错误/错别字。 @[TOC] [DE] 1.Die Lösung wird als vollständiger Code präsentiert, und einige der Lösungen werden eine theoretische Analyse oder Illustration haben. 2.Laut der Rekordbehörde ist die Lösung alles andere als ideal. 3.Berücksichtigen Sie sorgfältig die direkte Referenzlösung. PS: Wir freuen uns über Fehler / Tippfehler. [RU] 1.Решение будет представлено в виде полного кода, а некоторые из решений будут иметь теоретический анализ или иллюстрацию. 2.Согласно авторитету записи,

标准SPI 标准SPI通常就称SPI，它是一种串行外设接口规范，有4根引脚信号：clk , cs, mosi, miso Dual SPI 它只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。也就是对于Dual SPI Flash，可以发送一个命令字节进入dual mode，这样mosi变成SIO0（serial io 0），mosi变成SIO1（serial io 1）,这样一个时钟周期内就能传输2个bit数据，加倍了数据传输 Qual SPI 与Dual SPI类似，也是针对SPI Flash，Qual SPI Flash增加了两根I/O线（SIO2,SIO3），目的是一个时钟内传输4个bit 所以对于SPI Flash，有标准spi flash，dual spi , qual spi 三种类型，分别对应3-wire, 4-wire, 6-wire，在相同clock下，线数越多，传输速率越高。 btw：spi flash一般为NOR Flash 快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘

1、什么是NAND闪存 固态硬盘(SSD)的底层NAND架构因模型而异，NAND闪存的几种类型SLC、MLC、eMLC和TLC具备不同特性。 与机械硬盘(HDD)相比，SSD封装使存储子系统和阵列能够提供出色的应用性能，并能在业务分析和其他工作负载下快速工作。在个人电脑和移动设备中，闪存能够加速应用程序启动时间和加速数据传输。 而且由于闪存没有可移动部件，所以SSD几乎不容易受到突然移动和物理冲击的伤害。另外还有一个优势是，它们也比HDD耗电更少，但SSD在每GB的成本上往往高于HDD。 NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构，它的名字来源于逻辑门(NOT-AND)，用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。 2、NAND闪存类型 1）SLC(Single-Level Cell，单层单元) 在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。 对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术，价格最高。 2）MLC(Multi-Level Cell，多层单元) 为每个单元存储2个Bit，尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。 相对而言，MLC SSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。 3）eMLC(Enterprise Multi-Level Cell

NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术 。 flash 按照内部存储结构不同，分为两种： nor flash 和 nand flash 。 1、Nand Flash 　　在工艺制程方面分 NAND flash 有两种类型： MLC 和 SLC 。 MLC 和 SLC 属于两种不同类型的 NAND FLASH 存储器。 SLC 全称是 Single-Level Cell ，即单层单元闪存，而 MLC 全称则是 Multi-Level Cell ，即为多层单元闪存。 它们之间的区别，在于 SLC 每一个单元，只能存储一位数据， MLC 每一个单元可以存储两位数据， MLC 的数据密度要比 SLC 大一倍。在页面容量方面分 NAND 也有两种类型：大页面 NAND flash （如： HY27UF082G2B ）和小页面 NAND flash （如 :K9F1G08U0A ）。 这两种类型在页面容量，命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同，并遵循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意。 2、Nor Flash 　　 在通信方式上 Nor Flash 分为两种类型： CFI Flash 和 SPI Flash 。 CFI Flash 　　CFI Flash 英文全称是 common flash interface, 也就是公共闪存接口

Nand Flash 硬件以及初始化 请看Nand Flash 硬件图： nand flash 拥有DATA0~DATA7 1个字节的传输宽度，在此 DATA和地址线是共用的 当ALE为高电平的时候Data线会变成地址总线 下面介绍各个引脚的用处： 1. Rnb : READY/BUSY OUTPUT 当为低电平的时候表示正在nandflash 忙状态 2. CLE 命令/数据标志引脚 当为高电平 的时候是写命令 低电平的时候是写数据 3. nFCE: 选择芯片引脚 Chip select 4. ALE： 当ALE为高电平的时候DATA线会变成地址线 5. nFWE 当这个引脚是低电平的时候 写使能 6.nFRE：当为低电平的时候读使能。 此外 在写使能和读使能都是在上升沿的时候读取和写入有效的数值 我们的S2C2440拥有Nandflash控制器所以只要合理的配置控制器的参数就可以读写其中的数据 首先我们先要实现nandflash 的初始化工作： 上图描述的是nand flash 写命令和写地址的时序 名词解释如下： 1. TACLS： CLE & ALE duration setting value 命令或者地址线建立的时间 2. TWRPH0： 写地址或者命令的时间 2. TWRPH1：写使能无效到CLE或者ALE无效的时间 这三个是我们需要初始化的时钟 注意

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。 至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。 没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。 现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好 另外，一些变量

快闪存储器（英语： Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 NorFlash NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的 NAND Flash。 NandFlash NAND Flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的， 要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。。NAND Flash具有较快的抹写时间,

一、uboot启动分为了三个阶段BL0、BL1、BL2； BL0 表示上电后运行ROM中固化的一段程序，其中ROM中的程序是厂家写进去的，所以具体功能可能根据厂家芯片而有所不同。功能如下： 初始化系统时钟、特殊设备的控制器、启动设备、看门狗、堆栈、SRAM等硬件； 验证B1镜像，并且加载BL1镜像到SRAM中，然后跳转到BL1镜像的地址上。 BL0需要将BL1加载到对应的RAM上，这就涉及到它的启动模式，详细如下： 1.OneNand Boot模式 要了解OneNAND先得了解NOR Flash和NAND Flash。与NOR Flash相比，NAND Flash的读数据速度稍慢，但是擦写速度快得多，并且在容量、使用寿命、成本上也占有较大优势。NOR Flash的编程简单，而NAND Flash的编程较为复杂（因为它的flash管理需要特殊的接口）。NAND Flash一般用于存储数据，而NOR Flash一般用于存储启动代码。 NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容的每一字节（有限的地址引脚是限制其容量的因素之一）。NAND Flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。为了弥补NAND Flash的不足，三星公司在NAND Flash芯片内集成了一个RAM接口，命名为OneNAND Flash

转自http://jinren1010.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/15556 　　 （1）闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NOR芯片操作以“ 字 ”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 （2）NOR闪存是随机存储介质，用于 数据量较小 的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合 存放大的数据 。 （3）由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 （4）NAND闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因