mos管

一、典型电路 1、电路1 说明： GND-IN　　为电源接口的负极 GND　　　 为内部电路的公共地 原理分析 正向接： 　　VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。 反向接：MOS体二极管截至 2、电路2 说明： GND-A-24V　　为电源接口的负极 GND-A　　　 为内部电路的公共地 原理分析 正向接： 　　VCC-IN通过R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。 反向接： 虽然 MOS体二极管这时正向接，但是由于GND-A上端接的是我们的电路，电路的上端是VCC-A-24V-IN，所以还是无法通过；事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。 二、优缺点 1、优点 　　由于正向接导通时，MOS管Ron很小，压降非常小，基本保证了GND和GND-IN等电位。 　　而串联二极管会有一定的压降。 2、缺点 　　电路复杂，价格也高。 来源： https://www.cnblogs.com/amanlikethis/p/3691859.html

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种，符号如下： MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）： 2 三极管和MOS管的正确应用 （1）P型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。 只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，P型三极管即可开始导通。 基极用高电平驱动P型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，P型三极管能够更快更可靠地截止。 （2）N型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。 只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，N型三极管即可开始导通。 基极用低电平驱动N型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，N型三极管能够更快更可靠地截止。 所以，如上所述 对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。

教你如何正确选择MOS管产品 可易亚教你正确选择MOS管重要的一个环节，MOS管选择不好就可能影响到整个电路的功率使用，会造成雪崩等原因，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的参数，我们能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用P沟道还是N沟道 第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择合适的应用元器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备

在小型产品上经常要用到电池供电，这样就需要给电池充电。 这里记录下1S电池3.7V的充电和供电方案。 先贴上原理图： 来简要分析下： 1、给系统供电的最终端是VCC 2、单电池供电：在没有插USB的情况下P沟道MOS管的G极由于下拉电阻所以保持为低电平，此时MOS管导通，电池的VBAT经过MOS管到达开关再到VCC。 3、单USB供电：此时没有插入电池，插入USB后MOS管的G极为高，MOS管关断，VUSB经过二极管到达开关再到VCC。 4、电池和USB同时接入：此时VUSB为高，所以电池是不会经过MOS管给系统供电的，这里跟单USB接入的方式是一样的，但是由于电池的接入，充电部分开始工作，USB同时给电池充电。 这里要注意的一点是二极管的作用很大，假设二极管短路或者没有二极管： 1、在USB和电池同时供电的情况，会导致MOS管的D极为VUSB，这样电池的电压VBAT本来就比VUSB低，MOS管是的电流流向是从S到D的，所以指不定会出现什么情况。 2、在电池单独供电的情况，电池假设供电正常，那么MOS管的VS接近VD，没有二极管会导致VD倒流到VG，会再次把MOS管关断，这样也是无法供电的。所以这个二极管是必须的。 3.在USB供电的情况下，因为给系统的电流都要经过二极管，所以需要考虑二极管承担的电流大小，这里需要根据电流的大小相应的选择不同型号的二极管

同样位于元素周期表第四栏的元素，硅(Si)，锗(Ge)都是被最早用于半导体材料的元素，而碳元素©却不是。 碳元素在石墨结构下是导体，而在金刚石结构下，由于共价键跃迁能带比较大，是绝缘体。同样是金刚石结构的硅元素由于共价键比较弱，共用电子对定域性较差，在一定电压下电子就会解离，体现半导体性质。 如果将硅(Si碳©组成碳化硅(SiC)化合物，则形成宽禁带半导体（3V）。普通的硅（Si）半导体的禁带只有1.1V。 左边：碳化硅(SiC)晶体；右边：SiC晶体结构 由SiC制作的MOSFET耐压高，或者在同样的耐压要求下，MOSFET的尺寸就小，从而大大降低了MOS管的导通电阻和传热热阻。 使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高电压、高频率应用越来越广泛。 恰好手边有如下功率MOS管，左边为碳化硅MOS管，型号为C2M0080120，它的耐压为1200V，导通电阻80m欧姆。 中间的是普通的N沟道MOS管，形式是IRF450。它的耐压为500V，额定工作电流为13A。 右边是IGBT，型号为50N6S2。耐压为600V，额定工作电流为75A。 ^左：SiC：C2M0080120;1200V,31.6A, 80mΩ^ 中：MOSFET:IRF450:500V,13A： ^右：IGBT:50N6S2, 600V,75A^ 下面是对这三种MOS测量它们的漏极-源极之间的击穿电压

在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文，“ ”（点击加黑文字可以跳转到该推文），对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。 推文一开始就讲到：只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。 虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢” 年轻教授Neubean怀着好奇心对于通常在MOSFET栅极串联100Ω电阻做法进行了实验研究，并得出了一个结论可以安抚自身疑问的心灵，但是感觉他最终还是没有真正抓住问题所在。 我们知道，MOSFET器件是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。 对于普通的双极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联电阻R1是为了了限制基极电流的大小，否则对于驱动信号源来说，三极管的基极对地之间就等效成一个二极管，会对前面驱动电路造成影响。 如果对于MOS管，由于它的栅极相对于漏极和源极是绝缘的，所以栅极上无需串联电阻进行限流。 相反，考虑到MOS管栅极存在的寄生电容，为了加快MOS管导通和截止的速度

图示为我应用于实际的空心杯电机驱动电路。 可见，该电路通过MCU的PWM信号控制电机，实现了无刷电机的无极调速。 该电路的基本思想就是通过PWM信号控制MOS管（SI2302）的开与关；改变PWM的占空比，进而改变流过电机的有效电流，从而控制电机的转速。 在这里MOS管做开关，读过我之前文章（ https://blog.csdn.net/ouguangjin/article/details/75166894 ）的朋友应该知道，三极管也是可以做开关用的。那么问题来了，为什么在这里使用MOS管而不使用三级管呢？在这里，我做一下简要的解答。这里的MOS管指我们所常见的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），其导通时只有多数载流子参与电流的形成，因此其导通、截止速度快是选用其作为电机驱动的主要原因之一；再者，其导通电阻小也是一重要原因。 下面来对该电路进行分析： ①PWM信号输入到栅极；高电平时，MOS管导通，电机转动（注意，我这里没加限流电阻，5V的电压足以使空心杯电机达到最大的转速，若有同学想要对该电路进行测试要注意哦！）；低电平时，MOS管截止，电机停转。注意，有的地方地方可能会在MCU信号与MOS管的栅极之间加一电阻；个人认为这是不必要的，因为MOS管的栅极和内部参杂半导体是绝缘的，等效于栅极和内部的参杂半导体通过一个阻值非常大的电阻相连

MOS管 最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作 (图1)。各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端，有一个功率MOS管可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离 。起这种作用的MOS管被称为"ORing"FET，因为它们本质上是以 “OR” 逻辑来连接多个电源的输出。 开关电源MOS管选型 一、开关电源上的MOS管选择方法 图1：用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管 在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时 。 相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。 二、低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小 一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说，RDS(ON

　 　CMOS电路因其在在功耗、抗干扰能力方面具有不可替代的优势，以及在设计及制造方面具有简单易集成的优点而得到广泛应用。如今，在大规模、超大规模集成电路特别是数字电路中早已普遍采用CMOS工艺来来进行设计与制造。 一、 CMOS 门电路设计规则 　 　 静态的 CMOS 电路的设计有着一定的规则，而正是这些规则使得其电路的设计变得非常简单。如图所示， COMS 电路中最主要的部分是上拉网络 PUN(Pull Up Net) 和下拉网络 PDN(Pull Down Net) ，这两个网络内部结构是对称互补的，或者说是对偶的。所谓的对称互补，即是指下拉网络中全是 NMOS ，而上拉网络中全是 PMOS ，两者数量相同；并且，下拉网络中组成“与”逻辑的 MOS 管，在上拉网络中对应的为“或”逻辑，在下拉网络中组成“或”逻辑的 MOS 管，在上拉网络中对应的为“与”逻辑。由于互补，上拉网络与下拉网络不会同时导通。 　 　由于结构是互补对称的，CMOS电路的功能可以由下拉网络或者上拉网络单独来确定。对于下拉网络，先根据各个NMOS的串并联关系列出表达式，最后整体取反一下（取反是因为下拉网络为真时输出是低电平0）；对于上拉网络，先将各个输入取反，再根据各个PMOS的串并联关系写出表达式。其中，串联为与，并联为或。 　　设计的过程则刚好反过来，先根据功能确定逻辑表达式

最全贴片MOS管型号大全，最新常见贴片MOS管选型及参数对照表。 电子元器件 ：场效应管（MOS管）、COOL MOS、三端稳压管、快恢复二极管及碳化硅二极管等领域系列产品，产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。 主要应用领域 ：逆变器保护板、电源类、可穿戴数码产品、家电产品、通讯电子、汽车电子、仪器仪表、电子玩具、医疗电子、安防电子、航空航天等领域。 MOS管产品系列 ：中低压 MOS管 、高压MOS管 电压 ：1A-450A 电流 ：20V-1500V MOS管封装形式 ：TO-252、TO-263、SOT-23、SOP-89、DFN56、DFN33、TO-220、TO-252、TO-92 、TO-2247、TO-3PF、TO-220F、、TO-263-6L、TO-251、SOT-223、TSSSOP-8封装等； 贴片封装有 ：TO-252、TO-263、SOT-23、SOP-89、DFN56、DFN33等； Part Number ID(A) BVDSS(V) Typical RDS(ON)@60%ID(Ω) Max RDS(ON)@60%ID(Ω) Package 30N03B 30 30 0.015 0.018 TO-252 KNX9103A 40 30 0.0085 0.0105