计算电流

串联电阻，示波器才电压，计算电流大小的时候经常碰到不规则的形状，这钟情况下可以通过CAD描点计算包络面积，通过比例关系再反推示波器上的面积。 图片粘贴到CAD中，比例1:1。 用多段线沿轮廓对图形进行描边，形成封闭多边形。 选中多边形，输入 LS或LIST命令，回车。 来源： oschina 链接： https://my.oschina.net/InfoInit/blog/3219525

教你如何正确选择MOS管产品 可易亚教你正确选择MOS管重要的一个环节，MOS管选择不好就可能影响到整个电路的功率使用，会造成雪崩等原因，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的参数，我们能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用P沟道还是N沟道 第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择合适的应用元器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备

高压侧电流=容量*6% 低压侧电流=高压侧电流*25 低压侧 高压侧 100KVA 150 6 125KVA 188 7.5 150KVA 225 9 ... 转载于:https://www.cnblogs.com/chinapro/archive/2006/06/21/431649.html 来源： https://blog.csdn.net/weixin_30684743/article/details/99923065

磁场定向控制，因公司产品开发需要用到对永磁同步电机(PMSM)进行精确的位置控制，才开始从网上了解什么是FOC，有哪些数学公式，控制的过程是怎么样的，与大家分享，由于需要对电机进行位置控制，所以使用了14位分辨率的磁编码器。 FOC主要是通过对电机电流的控制实现对电机转矩(电流)、速度、位置的控制。通常是电流作为最内环，速度是中间环，位置作为最外环。 下图是电流环(最内环)的控制框图： 图一：电流环 在图一中，Iq_Ref是q轴(交轴)电流设定值，Id_Ref是d轴(直轴)电流设定值，关于交轴直轴不再介绍，大家自行百度。 Ia, Ib, Ic分别是A相、B相、C相的采样电流，是可以直接通过AD采样得到的，通常直接采样其中两相，利用公式Ia+Ib+Ic=0计算得到第三相，电角度θ可以通过实时读取磁编码器的值计算得到。 在得到三相电流和电角度后，即可以进行电流环的执行了：三相电流Ia, Ib, Ic经过Clark变换得到Iα, Iβ；然后经过Park变换得到Iq, Id；然后分别与他们的设定值Iq_Ref, Id_Ref计算误差值；然后分别将q轴电流误差值代入q轴电流PI环计算得到Vq，将d轴电流误差值代入d轴电流PI环计算得到Vd；然后对Vq, Vd进行反Park变换得到Vα, Vβ；然后经过SVPWM算法得到Va, Vb, Vc，最后输入到电机三相上。这样就完成了一次电流环的控制。