功率

■ 分为 结型 和 绝缘栅型 ，但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（ Metal Oxide Semiconductor FET ） , 简称电力 MOSFET （ Power MOSFET ）。 ■ 电力 MOSFET 是用 栅极 电压来控制 漏极 电流的，它的特点 有： ◆ 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆ 开关速度快，工作频率高。 ◆ 热稳定性优于 GTR 。 ◆ 电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。 ■ 电力 MOSFET 的结构和工作原理 ◆ 电力 MOSFET 的种类 ☞ 按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。 ☞ 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为 耗尽型 。 ☞ 对于 N （ P ）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为 增强型 。 ☞ 在电力 MOSFET 中，主要是 N 沟道增强型 。 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 ◆ 电力 MOSFET 的结构 ☞ 是 单极 型晶体管。 ☞ 结构上与小功率 MOS 管有较大区别，小功率 MOS 管是 横向 导电器件，而目前电力 MOSFET 大都采用了 垂直 导电结构，所以又称为 VMOSFET （ Vertical MOSFET ），这大大提高了 MOSFET 器件的 耐压 和 耐电流 能力。 ☞ 按垂直导电结构的差异，分为利用 V

同样位于元素周期表第四栏的元素，硅(Si)，锗(Ge)都是被最早用于半导体材料的元素，而碳元素©却不是。 碳元素在石墨结构下是导体，而在金刚石结构下，由于共价键跃迁能带比较大，是绝缘体。同样是金刚石结构的硅元素由于共价键比较弱，共用电子对定域性较差，在一定电压下电子就会解离，体现半导体性质。 如果将硅(Si碳©组成碳化硅(SiC)化合物，则形成宽禁带半导体（3V）。普通的硅（Si）半导体的禁带只有1.1V。 左边：碳化硅(SiC)晶体；右边：SiC晶体结构 由SiC制作的MOSFET耐压高，或者在同样的耐压要求下，MOSFET的尺寸就小，从而大大降低了MOS管的导通电阻和传热热阻。 使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高电压、高频率应用越来越广泛。 恰好手边有如下功率MOS管，左边为碳化硅MOS管，型号为C2M0080120，它的耐压为1200V，导通电阻80m欧姆。 中间的是普通的N沟道MOS管，形式是IRF450。它的耐压为500V，额定工作电流为13A。 右边是IGBT，型号为50N6S2。耐压为600V，额定工作电流为75A。 ^左：SiC：C2M0080120;1200V,31.6A, 80mΩ^ 中：MOSFET:IRF450:500V,13A： ^右：IGBT:50N6S2, 600V,75A^ 下面是对这三种MOS测量它们的漏极-源极之间的击穿电压

​感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 一、设计思路 本文以BUCK降压拓扑为例进行讲解，其它拓扑结构设计思路大同小异，BUCK降压拓扑如下图： 1、功率环路尽量小。基于电磁场理论，环路越小，辐射越小，对后期EMC等认证很有帮助，同时，对模拟电路等其它电路干扰小，提高电源的稳定性； 2、模拟部分(FB反馈环路、使能、增益补偿等)靠近电源IC，同时，避免受功率环路的影响； 3、处理好地平面，模拟地单点接到功率地平面。 二、项目实战 1、原理图设计 原理图如下: 原理图设计根据datasheet的典型设计优化即可。 ①、输入部分增加TVS抗浪涌，增加1nF瓷片电容给高频干扰信号提供低阻抗回路等； ②、输入部分增加防反接，可以用肖特基二极管或PMOS管，PMOS管主要针对大电流场合； ③、BST管脚，串联电阻，可以平滑SW开关波形，降低EMC； ④、输出部分增加指示灯； ⑤、如果担心输出电压过高损坏后级昂贵的模块，输出部分可以增加稳压二极管； ⑥、如果输入部分电容C7过大，避免上电瞬间充电电流过大，可以增加PTC； ⑦、为了提高抗传导干扰功能，输入部分可以增加π型滤波器

1 测试用什么软件？什么终端？ 答： LTE 测试前台测试使用华为出的测试软件 GENEX Probe，后台分析使用 GENEX Assistant ；测试终端有：CPE（B593s）、小数据卡（B398 和B392）、TUE 2 LTE 测试中关注哪些指标？ 答： LTE 测试中主要关注 PCI（小区的标识码）、RSRP（参考信号的平均功率，表示小区信号覆盖的好坏）、SINR(相当于信噪比但不是信噪比，表示信号的质量的好坏)、RSSI（ReceivedSignal StrengthIndicator，指的是手机接收到的总功率，包括有用信号、干扰和底噪）、PUSCHPower（UE 的发射功率）、传输模式（TM3 为双流模式）、Throughput DL, Throughput UL 上下行速率、掉线率、连接成功率、切换成功率等。。 3 RSRP、SINR、RSRQ 什么意思？ 答: RSRP: Reference Signal Received Power 下行参考信号的接收功率 ，和 WCDMA 中 CPICH 的RSCP作用类似，可以用来衡量下行的覆盖。区别在于协议规定 RSRP 指的是每 RE 的能量，这点和 RSCP指的是全带宽能量有些差别，所以 RSRP 在数值上偏低； SINR：信号与干扰加噪声比 （Signalto Interference plus Noise

https://blog.csdn.net/meiliqiang/article/details/78507743 根据中国移动测试要求|： 极好点： RSRP >-85dBm； SINR >25 好点： RSRP =-85～-95dBm； SINR :16-25 中点： RSRP =-95～-105dBm； SINR :11-15 差点： RSRP=-105～-115dBm；SINR:3-10 极差点： RSRP<-115dB；SINR<3 这些值当然越大越好 PS：LTE常用名词解释 SINR：信号与干扰加噪声比 （Signal to Interference plus Noise Ratio）是 指接收到的有用信号的强度与接收到的干扰信号（噪声和干扰）的强度的比值； 可以简单的理解为“信噪比”。 RSRP：(Reference Signal Receiving Power，参考信号接收功率) 是LTE网络中可 以代表无线信号强度的关键参数以及物理层测量需求之一，是在某个符号内承载参 考信号的所有RE(资源粒子)上接收到的信号功率的平均值。 RSRQ:（ReferenceSignalReceivingQuality）表示LTE参考信号接收质量，这种度量 主要是根据信号质量来对不同LTE候选小区进行排序。这种测量用作切换和小区重选 决定的输入。 RSRQ被定义为N*RSRP/

感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验(微信公众号 yjjy168168168，欢迎关注)。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 一、拓扑结构 1、LDO拓扑如上图，要想掌握LDO，必须理解拓扑结构，几乎所有LDO都是基于此拓扑结构。 2、由拓扑可知，LDO属于线性电源，通过控制开关管的导通程度实现稳压，输出纹波小，无开关噪声； 3、线性电源，输出电流等于输入电流，发热功率=电压差 电流，转换效率=Vo/Vi； 4、LDO不适合电压差过大的场合，比如输入24V，输出3.3V，如果电流20mA，发热功率=20.7V 20mA=0.54W，效率只有13.75%； 5、LDO不适合电流大的场合，电流大，发热功率相对较大，同时，压差大，可能导致电压下拉，具体看datasheet的电压降，比如1V/1A(电流1A时，压降最少1V，此时，如果输入电压4V，输出最大只能3V); 6、根据经验，SOT-23封装，发热功率不超过0.3W；SOT-89,发热功率不超过0.5W； 7、如果发热功率过大，可以考虑使用BUCK降压电路，必须使用LDO的话，可以串联电阻，分担一部分功耗，但需要注意LDO电压降必须满足要求。 二

1.avago中文安华高 全球领先的模拟、混合信号和光电器件厂商, Avago Technologies的总部分别设在美国加州圣何塞和新加坡. 一般用的是他的高速光耦,比如HCPL0720. 2.NEC中文名，美国国家半导体公司(现在已经被TI公司收购) 总部位于美国加州 圣塔克拉拉，产品包括电力管理电路、显示器驱动、音频与运算放大器、通讯接口产品及数据转换方案。 2011年4月4日，德州仪器 宣布以65亿美元收购美国国家半导体。两家公司与2011年9月23日正式合并。现在改成TI（德州仪器）名下 一般用到他的485芯片。 3.CYPRESS中文名赛普拉斯 公司总部设在美国 加州 圣约瑟市（ San Jose）。 产品包括有线与无线USB器件、CMOS图像传感器、计时技术解决方案、网络搜索引擎 、专业存储器 、高带宽同步和微功耗存储器产品、光学解决方案以及可再配置的混合信号阵列等。 一般用到他的SRAM 4. Analog Devices中文名 亚德诺半导体,简称ADI 公司总部设在美国马萨诸塞州诺伍德市，A DI公司是业界认可的数据转换和信号处理技术全球领先的供应商， 作为领先业界40多年的高性能模拟集成电路（IC）制造商，ADI的产品用于模拟信号和数字信号处理领域。 ADI被评为“汤森路透全球百家创新企业”。是唯一获评全球最具创新力企业100强的模拟半导体公司 。

随着压电陶瓷制动器对驱动电源的特性要求，市场上推出一款驱动超声波换能器的超声功率放大器，ATA-4000系列超声功率放大器输出最大频率DC-24MHz，最大输出电压1600Vp-p，最大功率1000W.可满足不同谐振频率、不同驱动信号的换能器的简便切换。 超声技术目前已在中国、美国、日本等多个国家引起了科研工作者的广泛高度关注。超声技术也在国民经济生产、生活、科研等各个领域扮演者十分重要的角色。功率超声是利用超声波的声强能量使物体货物理属性发生变化的功率应用；检测超声是把超声波作为一种检测工具，用超声波作为获取信息的载体，从而获得通信应用。 超声波驱动功率放大器实质是一个功率信号发生器，用于产生激励信号并向超声波换能器提供超声能量的一种装置，他产生的激励信号经过功率放大以后再通过匹配电路与换能器阻抗匹配，从而驱动换能器工作，即为超声波换能器提供驱动信号，驱动信号经过超声波换能器后转换成所需要的声场，将电信号变换为机械振动信号。 ATA-4315是一款理想的可放大交、直流信号的单通道超声功率放大器。最大输出150Vp-p（±75Vp）电压，105.75Wp功率，可以驱动高压功率型负载。电压增益数控可调，一键保存常用设置，为您提供了方便简洁的操作选择，可与主流的信号发生器配套使用，实现信号的完美放大。 最大输出电压150Vp-p(±75Vp) 最大输出电流1Arms 带宽（-3dB

Type-C PD协商过程解析 Type -C的PD（Power Delivery）允许设备通过Type-C端口协商功率，如： 1. 5V 3A 2. 9V 3A 3. 15V 3A 4. 20V 5A 最大可到100W的输出 PD协商 PD协商通过功率提供者（provider）和功率消费者（Consumer）之间的信息交换完成的，功率提供者如手机充电器，功率消费者如手机。 图1 解释上图中的DFP和UFP DFP：Downstream Facing Port。是下行端口，通常这种端口在Host上或者在USB的Hub上 UFP：Upstream Facing Port。是上行端口，通常这种端口在device上或者连接host的hub上 PD协商通过Type-C的哪个引脚来做的呢？ 图2 看图2是Type-C的引脚定义。 USB PD协议规定CC（Configuration Channel）作为PD协商信息交换的引脚。 PD协商的全过程 如图1（下面的描述Provider简化为P，Consumer简化为C） 1. P首先发起PD协商，向C发送P具有的Power能力的消息，也就是P支持哪些功率类型 2. C收到P发送的Power能力的消息后，分析P的Power能力并选择其中一个Power配置发送给P 3. P收到C请求的power配置，决定是否接受这个请求 4.

转自 http://www.shinian10.com/article.asp?id=577 当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。 一、三极管的类型及材料 　　初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。 　　三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降