电荷

总结 知识点 19.1 稳恒电流 形成电流的条件： 在导体内有可以自由移动的电荷（载流子） 在导体内要维持一个电场，或者在导体两端要存在有电势差 电流（强度）：通过截面S 的电荷随时间的变化率 u为电子漂移速度。 电流密度矢量： 通过任意曲面的电流 ： 电流的连续性方程 单位时间内通过闭合曲面向外流出的电荷，等于此时间内闭合曲面内电荷的减少量 . 稳恒电流： （基尔霍夫第一方程 ）。 稳恒电场： 在稳恒电流情况下，导体中电荷分布不随时间变化形成恒定电场； 稳恒电场与静电场具有相似性质（高斯定理和环路定理），稳恒电场可引入电势的概念； 稳恒电场的存在伴随能量的转换. 欧姆定律： 非静电力：能不断分离正负电荷使正电荷逆静电场力方向运动. 电动势：单位正电荷从负极通过电源内部移到正极时非静电力所做的功. 19.2 磁场与磁感应强度 永磁体的性质： 具有磁性，能吸引铁、钴、镍等物质。 具有磁极，分磁北极N和磁南极S。 磁极之间存在相互作用， 磁极不能单独存在。 磁感应强度：当正电荷垂直于特定直线运动时，受力 将 方向定义为该点的 的方向. 大小： 磁感应线：曲线上每一点的切线方向就是该点的磁感强度 B 的方向，曲线的疏密程度表示该点的磁感强度 B 的大小. 方向：方向与电流成右手螺旋关系 19.3 毕奥-萨伐尔定律 电流与磁感应强度之间的公式关系； 毕奥-萨伐尔定律： 真空磁导率

单从感光器电子技术上来说，CCD比CMOS更先进，理论成像上有优势，但是最近几年CMOS却发展更好，使得很多高端数码单反采用CMOS传感器，下面来看看CCD和CMOS的技术知识： CCD和CMOS传感器是目前最常见的数字图像传感器，广泛应用于数码相机、数码摄像机、照相手机和摄像头等产品上。两者在结构、性能和技术上均不尽相同，在此我将两者作一个简单的比较，使广大读者对CCD和CMOS能有一个比较初步的认识，在选购相关产品时也能做到心中有数。 CCD与CMOS传感器的结构比较 CCD(Charge Coupled Device)，即“电荷耦合器件”，是一种感光半导体芯片，用于捕捉图形，但CCD没有能力记录图形数据，也没有能力永久保存，所有图形数据都会不停留地送入一个模数转换器，一个信号处理器以及一个存储设备。1970美国贝尔实验室发明了CCD。二十年后，人们利用这一技术制造了数码相机，将影像处理行业推进到一个全新领域。 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，即“互补金属氧化物半导体”。它是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导所需的大量资料。有人发现，将CMOS加工也可以作为数码相机中的感光传感器，其便于大规模生产和成本低廉的特性是商家们梦寐以求的。 CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上

电路分析（一）——电流、电压和电功率 电荷 电压 功率 所谓电路，就是各种电器元件构成的电流的通路，因此，明确什么是电流，就有助于我们对电路展开分析，那么什么是电流呢，电流就是定向运动的电荷。 电荷 对于电荷，我们先从他的属性开始，电荷是物质的一种物理性质，举个例子，我们说的物质带电，摩擦起电树说的就是该物质带有电荷，而我们平时所理解的电荷时一种粒子，其实是基本电荷或元电荷，即带正电的质子和带负电的电子，对于基本电荷，他们所携带的电荷量是1.9×10^19库伦，记为 e ，而其他电荷所带的电荷量为 e 的整数倍。而正是因为存在正电荷和负电荷，也就会有下面的性质：同性相斥，异性相吸和电荷守恒。 电压 说完电荷，我们在说一说电荷是因为什么进行移动的，关键在于电压，而电压的定义也恰好说明了这一点：电压，就是将正电荷从点 b 移动到点 a （或将负电荷从点 a 移动到点 b ）所做的功，关于电压推动电荷的而运动，有两种解释，分别是从力的角度和从能量的角度进行解释，下面我们分别进行介绍。 第一种，力的角度：从上面的定义中，我们知道电荷的做功是由于做功形成的，那么是什么进行做功的呢，答案是电场力。前文我们说到了电荷的分类，现在我们来继续说电荷之间的相互作用，电荷之间的相互作用是通过电场力来实现的，电场是电荷周围存在的一种不是由原子和分子组成，但是却真实存在的特殊物质。正是因为电场力的做功

电容的分类 电容的种类有很多，但电路设计中常用的电容主要有陶瓷电容（Ceramic capacitor）、钽电容（Tantalum）和铝电解电容（Aluminum Eletrolytic Capacitor）。 陶瓷电容及其应用要点 平常见的最多的陶瓷电容是MLCC（Multi-layers ceramic capacitor）电容，内部结构如图： 优势是体积小、价格低、稳定性好，但容量小。目前常用的陶瓷电容，其容值小的可以到几十皮法，大的可以到几十微法。 平时经常提到的X7R、X5R、X7S、Y5V等，就是陶瓷电容，符号的含义如下表： NPO 是温度补偿型陶瓷电容，是电容量最稳定的一种陶瓷电容。工作温度范围为-55℃~+125℃，可以认为在这个范围内，电容量基本保持不变。 X7R 表示工作温度范围为-55℃~+125℃，温度稳定性为+/-15%的陶瓷电容。 X5R 表示工作温度范围为-55℃~+85℃，温度稳定性为+/-15%的陶瓷电容。 有效容值 对于X7R /X5R和Y5V这三种类型的陶瓷电容，标称电容值都是在环境温度25℃/工作电压等于0V时得到的值。 如果环境温度和工作电压发生变化，则有效容值将会发生变化。 例如额定电压10V/标称值22uF的Y5V电容，理想状态（即工作电压0V，环境温度25℃）下，有效值为标称值（22uF）. 如果保持其环境温度为25℃不变

Electric application 1-1 The calculation of ideal circuits 电路构成及规律 电路构成及规律 电路是由导体（一般是以铜为材料的导线）、电阻、电容、电感、利用半导体原理制成的二极管，三极管等以及由它们组合而成的经典功能系统（门电路、芯片等）构成的。 电路是人类为利用其发现的电现象及规律而设计制造的。 早期人为产生的电现象的经典代表是摩擦起电。人们规定丝绸摩擦过的玻璃棒带的电荷叫正电荷，用毛皮摩擦过的橡胶棒带的电荷叫负极电荷。基于正负电荷，人们描述了同性相斥，异性相吸的现象，以及这种相互作用随电荷产生的多少而不同的现象。正、负是对这种作用的“定性分析”，电荷的概念则尝试将这种作用进行量化描述以便于使用数学工具。 正电负电→正电荷负电荷（阴极射线实验？）一对性质不同的可量化的物质的相互作用导致正电和负电的现象？ 电现象的三个量化对象：电势、电流、以及导体在一定电势差下产生相对稳定的电流的属性：电导（或以其倒数电阻表示） 1、电现象与原子模型：认为原子由原子核及围绕原子核运动的电子构成的（为什么是绕核运动的“动态稳定”而不是吸附于核上的“静态稳定”？似乎涉及阴极射线实验和原子的蛋糕葡萄干模型（汤姆生模型）的推翻） 原子与电子独立？→电子是原子的内部结构？ 空间中电荷分布不均匀，致使正电荷电场与负电荷电场在空间中“显著不抵消”

需要知道CMOS传感器的工作方式并不是像很多人想象的那样通过一个信号线就可以控制曝光的开始和结束。传感器的感光二极管不停的在捕获入射光子并转换成电子存储在电荷井中，控制部分可以将其读出和清零，但不能停止曝光。那么电子快门是怎么实现的呢？都存在哪几种快门，原理是什么？ 1、什么是shutter？ 快门是照相机用来控制感光片有效曝光时间的机构。是照相机的一个重要组成部分，它的结构、形式及功能是衡量照相机档次的一个重要因素。一般而言快门的时间范围越大越好。秒数低适合拍运动中的物体，某款相机就强调快门最快能到1/16000秒，可轻松抓住急速移动的目标。不过当你要拍的是夜晚的车水马龙，快门时间就要拉长，常见照片中丝绢般的水流效果也要用慢速快门才能拍出来。Global shutter 曝光时间更短，但会增加RMS 读出噪声；Rolling shutter可以达到更高的帧速，但当曝光不当或物体移动较快时，会出现部分曝光(partial exposure)、斜坡图形(skew)、晃动(wobble) 等现象。曝光时间短的应用（如<500μs）适合Global shutter，曝光时间长（如大于500μs）时，选择rolling shutter可以有更低的噪声和帧速。 1.1 什么是global shutter？ 通过整幅场景在同一时间曝光实现的。Sensor所有像素点同时收集光线，同时曝光

short answer question 如何用偏振片鉴别自然光、部分偏振光、线偏振光 以光传播方向为轴, 偏振片旋转360°, 如果光强随偏振片的转动没有变化, 这束光是自然光. 如果用偏振片进行观察时, 光强随偏振片的转动有变化但没有消光, 则这束光是部分偏振光. 如果随偏振片的转动出现两次消光, 则这束光是线偏振光. 在日常生活中看到肥皂膜呈现出彩色条纹, 解释该现象. 这是一种光的干涉现象. 太阳光中含有各种波长的光波, 当太阳光照射肥皂膜时, 经油膜上下两表面反射的光形成相干光束, 有些地方红光得到加强, 有些地方绿光得到加强, 这样就可以看到肥皂膜呈现出彩色条纹. 简述静电平衡条件, 并用静电平衡条件和电势差的定义解释处于静电平衡状态的导体是等势体, 导体的表面是等势面. 条件: 1.导体内任一点的电场处处为零; 2.导体表面上任一点的电场强度处处垂直于表面. 导体是等势体, 是因为导体内部电场强度处处为零, 所以导体上任意点处的电势差为零, 所以导体内部各点电势相等;导体是等势面, 是因为导体表面任一点处的场强都垂直于表面, 无切向分量, 沿表面的电势差为零, 电势没有变化, 所以导体表面各点电势相等, 并与导体内电势相等, 故导体是等势体. 电势的物理意义是什么？通常情况下如何选择电势零点？为什么感生电场中不能引入电势的概念？ 电势是从能量角度上描述电场的物理量

Flash原理介绍 转载地址： http://www.cnblogs.com/sankye/articles/1638852.html 硬件特性： 【Flash 的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的入硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。 图 1 . 典型的 Flash 内存单元的物理结构 数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压

一、单片机内部结构分析 我们来思考一个问题，当我们在编程器中把一条指令写进单片机内部，然后取下单片机，单片机就可以执行这条指令，那么这条指令一定保存在单片机的某个地方，并且这个地方在单片机掉电后依然可以保持这条指令不会丢失，这是个什么地方呢？这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM（READ ONLY MEMORY）。为什么称它为只读存储器呢？刚才我们不是明明把两个数字写进去了吗？原来在89C51中的ROM是一种电可擦除的ROM，称为FLASH ROM，刚才我们是用的编程器，在特殊的条件下由外部设备对ROM进行写的操作，在单片机正常工作条件下，只能从那面读，不能把数据写进去，所以我们还是把它称为ROM。 二、几个基本概念 1、数的本质和物理现象 我们知道，计算机可以进行数学运算，这令我们非常难以理解，计算机吗，我们虽不了解它的组成，但它们只是一些电子元器件，怎么可以进行数学运算呢？我们做数学题如37+45是这样做的，先在纸上写37，然后在下面写45，然后大脑运算，最后写出结果，运算的原材料：37、45和结果：82都是写在纸上的，计算机中又是放在什么地方呢？为了解决这个问题，先让我们做一个实验：这里有一盏灯，我们知道灯要么亮，要么不亮，就有两种状态，我们可以用’0’和’1’来代替这两种状态，规定亮为’1’，不亮为’0’。现在放上两盏灯，一共有几种状态呢？我们列表来看一下：