场效应管

常用电子元器件有哪些?你认识几个?对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。 一、电阻 作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 二、电容 电容(或电容量，Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为 C，国际单位是法拉(F)。一般来说

场效应管从结构上分为：JFET（结型场效应管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管） 可以说三极管与场效应管有着很多相似之处： 场效应管与三极管都具有放大功能，但是其最直观的区别就是： （1）场效应管是用G极的电压控制D极的电流；而三极管是用B极的电流控制C极的电流。 （2）场效应管G D S三个极之间是隔离的，G极的电流输入忽略不计，所以场效应管的输入阻抗无穷大； JFET（结型场效应管）： JFET的特点： （1）输入阻抗特别大； （2）电压VGS越大，电流ID越小； MOSFET（金属氧化物半导体场效应管） MOSFET根据结构的不同又分为：D-MOSFET（耗尽型金属氧化物场效应管）和E-MOSFET（增强型金属氧化物半导体 场效应管） MOSFET的特性： E-MOSFET特性： （1）N-channel只能工作在VGS>0的条件下，P-channel只能工作在 VGS<0的条件下; （2）VGS = 0时,D极不产生电流； （3）即使VGS不等于0，在达到阈值开启电压时，D极电流小的也几 乎为0。 D-MOSFET特性： （1）G极可以工作在正压或者负压状态下，两种状态下都可以导通； （2）N-channel和P-channel都当VGS= 0时，D极电流达到IDSS IDSS表示：G极短路HSI的G-S的电流。IDSS也是JEFT最大能 承受的电流 。

■ 分为 结型 和 绝缘栅型 ，但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（ Metal Oxide Semiconductor FET ） , 简称电力 MOSFET （ Power MOSFET ）。 ■ 电力 MOSFET 是用 栅极 电压来控制 漏极 电流的，它的特点 有： ◆ 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆ 开关速度快，工作频率高。 ◆ 热稳定性优于 GTR 。 ◆ 电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。 ■ 电力 MOSFET 的结构和工作原理 ◆ 电力 MOSFET 的种类 ☞ 按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。 ☞ 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为 耗尽型 。 ☞ 对于 N （ P ）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的称为 增强型 。 ☞ 在电力 MOSFET 中，主要是 N 沟道增强型 。 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 ◆ 电力 MOSFET 的结构 ☞ 是 单极 型晶体管。 ☞ 结构上与小功率 MOS 管有较大区别，小功率 MOS 管是 横向 导电器件，而目前电力 MOSFET 大都采用了 垂直 导电结构，所以又称为 VMOSFET （ Vertical MOSFET ），这大大提高了 MOSFET 器件的 耐压 和 耐电流 能力。 ☞ 按垂直导电结构的差异，分为利用 V

一、场效应管工作原理 　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称 场效应管 。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^ 7～10^ 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。 二、场效应管的分类 　　 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 　　目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 　　按沟道半导体材料的不同

引脚定义 文章来源: 场效应管

输入阻抗 输入阻抗包括感抗、容抗、电阻 输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。 对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动；（电阻越大，电阻两端分得的电压也就越大） 而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。（电阻越小，电流就接近电源电流） 因此，我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注：只适合于低频电路，在 高频电路 中，还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取 最大输出功率 时，也要考虑阻抗匹配问题。） 输出阻抗 阻抗是电路或设备对 交流电流 的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小，驱动更大负载的能力就越高。 场效应管通俗易懂的使用方法 会用为先，再来理解，一举拿下，两全其美。 场效应管和三极管一样，也是三个引脚，里面也有PN结区域，P表示空穴（正电子），N表示负电子。 N沟道结型场效应管：栅极G电流向内流 P沟道结型场效应管：栅极G电流向外流 N沟道结型场效应管内部原理图 增强型：EMOS 耗尽型：DMOS N沟道：NMOS P沟道：PMOS N沟道EMOS模型 N沟道EMOS管外部工作应满足的条件： 1.VDS > 0（漏极和源极之间的电压必须大于0，保证漏衬PN结反偏） 2.U接电路最低电位或S极（保证源衬PN结反偏） 3

明星一:电阻 作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。” 电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 在物理学中，用电阻（Resistance）来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。 电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四 色环电阻 五色环电阻（ 精密电阻 ）。 2

一 PMOS（SI2303): 源极（S)/漏极（D)识别：二直连为S P型/N型识别：中间二极管对外（或寄生二极管方向向下）为P型 pmos管作为负载开关使用时，是由Vsg的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。 Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当Vsg (Vs-Vg) > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。因为Rsg为毫欧级别，可认为VS=VG 在实际使用中，一般G极接MCU控制管脚，S极接电源正极VCC，D极为控制电源的输出（接器件的电源输入）。 来源： https://www.cnblogs.com/jieruishu/p/11392948.html

整理下之前的笔记：简谈推挽电路 要理解推挽输出，首先要理解好三极管（晶体管）的原理。下面这种三极管有三个端口，分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。下图是NPN型晶体管。 这种三极管是 电流控制 型元器件，注意关键词电流控制。意思就是说，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制了。 下面请允许我换一下概念，把基极B视为 控制端 ，集电极C视为 输入端 ，发射极E视为 输出端 。这里输入输出是指 电流流动 的方向。 当控制端有电流输入的时候，就会有电流从输入端进入并从输出端流出。 而 PNP管正好相反 ，当有电流从控制端流出时，就会有电流从输入端流到输出端。 那么 推挽电路 ： 上面的三极管是N型三极管，下面的三极管是P型三极管，请留意控制端、输入端和输出端。 当Vin电压为V+时，上面的N型三极管控制端有电流输入，Q3导通，于是电流从上往下通过，提供电流给负载。 经过上面的N型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「 推 」。 当Vin电压为V-时，下面的三极管有电流流出，Q4导通，有电流从上往下流过。 经过下面的P型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「 挽 」。 以上，这就是 推挽（push-pull）电路 。 那么什么是开漏呢？这个在我答案一开头给出的「网上资料」里讲得很详细了，我这里也简单写一下。