半导体

由于内存条种类繁多，参数多样，很多小白DIY电脑的，会发现购买内存条是件头疼的事。大家对内存容量以及内存频率关注较多，而对内存时序却关注的很少，其实内存时序也是内存的参数之一，内存时序究竟有多重要呢？ 内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，如16-18-18-36。宏旺半导体了解到，第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。 CL对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，而后面的三个数字都是最小周期数。CL的英文全称是CAS Latency，意思就是CAS的延迟时间，从中文意思中可以看出来这个数字越小延迟也就越小，一般DDR4的CL值在14-16就是一个不错的数值了，不少低延迟高超频能力的内存条还会将CL值压缩到11，这样的内存条延迟会更低，从而获得同频率下更好的性能。 内存时序参数影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以在同代同频率的情况下，内存时序越小越好，一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字，也就是CL值，数字越小越好。 宏旺半导体举个例子，内存的时序就是我们这个仓库的物流人员找到货物，并把货物装上车的时间，一般来说

手机闪存虽然大家平时在使用手机时感知不强，但是却非常重要，无论是应用的安装/启动还是文件/视频的传输等都要用到手机闪存。 前段时间，小米正式官宣了新款小米10系列手机，采用了LPDDR5+UFS3.0方案，后来小米副总裁卢伟冰也表示，相比较于UFS3.0，UFS3.1增加了Write Turbo、Deep Sleep、HPB三个功能，而JEDEC标准组织在2020.1发布了更新版，加入了HPB，目前看HPB的成熟度还欠缺。宏旺半导体今天还为大家科普一下UFS3.0和UFS3.1的差异，并分析Write Turbo、Deep Sleep、HPB三个功能分别指什么意思？ 据宏旺半导体了解，相较于UFS3.0，UFS3.1主要加入了三个新特性写入增强器(Write Turbo)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能限制通知(Performance Throttling Notification)，同时还发布了可选的配套标准“UFS Host Performance Booster（主机性能增强器）”，即UFS HPB。 首先，Write Turbo这个很好理解，就是提高设备的写入速度。有了这个特性，UFS3.1的写入速度提升至700MB/s，而UFS3.0的顺序写入最高为500MB/s。 Deep Sleep则旨在降低设备功耗，它可以让设备进入低功耗状态，确保手机在闲置时更加省电

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验，是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。 致芯科技可以解密该系列芯片。 部分芯片型号如下： R5F21206JFP R5F21206KFP R5F21207JFP R5F21207KFP R5F21208JFP R5F21208KFP R5F2120AJFP R5F2120AKFP R5F21275SDFP M3062AFCTFP M3062CF8TFP M3062CF8TGP M3062JFHTFP M3062JFHTGP M3062AFCTFP M3062CF8TFP M3062CF8TGP M3062JFHTFP M3062JFHTGP M30626FJPGP M30627FHPGP M30627FJPGP M3062AFCTFP M3062AFCTGP M3062AFCVFP M3062AFCVGP M3062CF8TFP M3062CF8TGP M3062JFHTFP M3062JFHTGP M3062JFHVFP M30280F6HP M30280F8HP M30280FAHP M30280FATHP M30280FAVHP M30280FCHP M30281F6HP

抄录:凡亿教育 定义： 二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图)一 端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。 二极管是由空穴型P型半导体和电子型N型半导体结合而成的PN 结的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。 特点： 单向导电性，正向导通，反向截止。 转载:https://blog.csdn.net/pofenglangguayunfan/article/details/73088361?depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task&utm_source=distribute.pc_relevant.none-task 二.二极管的主要性能指标 1.额定正向工作电流(IF) 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流，因为电流通过时会导致管芯发热，温度上升，温度超过允许温度限度（硅管为140左右，锗管为90左右），就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流。例如，常用的锗型二极管IN4001-IN4007的额定正向电流为1A。 2.最高反向工作电压(Udrm) 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向电压。例如IN4001的反向耐压为50V，IN4007的反向耐压为1000V。 3.反向电流

定义： 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两 个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分 是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 特性： 三极管最主要就是线性放大作用，在电路中用做放大器，另 外，在一定条件下还起开关作用。 来源： https://www.cnblogs.com/qq376142178/p/12596457.html

　　数码相机的关键元件CCD或CMOS又称为“影像传感器”，其作用相当于感光胶片。CCD尺寸越大，采集光线的效果越好，画面记录的信息就越多，保留的细节也就越丰富，所以图像更完美漂亮。 　　CCD尺寸的大小与像素的多少有一定的联系，但是也不尽然。专业数码单反尼康的D2Hs，别看它像素只有410万，可CCD的尺寸却是23.5×15.7mm；而柯达的DX7590数码相机虽拥有500万像素，但CCD尺寸只有5.38×4.39mm，两块CCD面积相差近10倍。可以肯定地说，D2Hs拍出的图像质量要比柯达DX7590拍出的画面要好得多，而且图像越放大越能证明这一点。所以购买数码相机时，千万不要盲目追求高像素，还要看看它的CCD尺寸有多大！ 　　目前CCD、CMOS最大尺寸（除120专用的数码后背）与35毫米传统胶片的底片一致，即24×36mm。所以又称为“全画幅”CCD。 　　大尺寸的CCD制作成本非常高，已经成为了数码相机(主要是数码单反相机)价格居高不下的主要颈瓶。 　　CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称为金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别，都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，这种转换的原理与太阳能电子计算机的太阳能电池效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱

单从感光器电子技术上来说，CCD比CMOS更先进，理论成像上有优势，但是最近几年CMOS却发展更好，使得很多高端数码单反采用CMOS传感器，下面来看看CCD和CMOS的技术知识： CCD和CMOS传感器是目前最常见的数字图像传感器，广泛应用于数码相机、数码摄像机、照相手机和摄像头等产品上。两者在结构、性能和技术上均不尽相同，在此我将两者作一个简单的比较，使广大读者对CCD和CMOS能有一个比较初步的认识，在选购相关产品时也能做到心中有数。 CCD与CMOS传感器的结构比较 CCD(Charge Coupled Device)，即“电荷耦合器件”，是一种感光半导体芯片，用于捕捉图形，但CCD没有能力记录图形数据，也没有能力永久保存，所有图形数据都会不停留地送入一个模数转换器，一个信号处理器以及一个存储设备。1970美国贝尔实验室发明了CCD。二十年后，人们利用这一技术制造了数码相机，将影像处理行业推进到一个全新领域。 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，即“互补金属氧化物半导体”。它是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导所需的大量资料。有人发现，将CMOS加工也可以作为数码相机中的感光传感器，其便于大规模生产和成本低廉的特性是商家们梦寐以求的。 CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上

我们在购买电子产品时，常常听到FLASH闪存这个词。但对于基础小白来说，可能常常搞不清楚SPI Flash、Nand Flash、Nor Flash等都是指什么，今天宏旺半导体就跟大家通俗易懂地讲解一下。 首先，我们了解一下Flash闪存本身，它则是一种非易失性存储，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash按照内部存储结构的不同，可以分为两种：Nor Flash和Nand Flash。 宏旺半导体打个比方说，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND的成本较NOR来说很低，而容量却大很多。 因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 首先，SPI是指一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash，即，可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI Nor Flash

从CPU处理速度越来越快，到内存的蓬勃发展，如今随着技术的进步，SSD的普及度也大大提升，在疫情期间，不少人也打算给自己的电脑升级一块高速大容量的SSD。之前的文章中，我们聊到了eMMC的工作原理，今天宏旺半导体就跟大家来聊一聊SSD固态硬盘的结构和基本工作原理 SSD 主要由 SSD 控制器，FLASH 存储阵列，板上DRAM，以及跟HOST接口（诸如SATA，SAS, PCIe等）组成。而其中最重要的三个组件就是NAND闪存，控制器及固件。NAND闪存负责重要的存储任务，控制器和固件需要协作来完成复杂且同样重要的任务，即管理数据存储、维护SSD性能和使用寿命等。 SSD 的基本工作原理是从主机PC端开始，用户从操作系统应用层面对SSD发出请求，文件系统将读写请求经驱动转化为相应的符合协议的读写和其他命令，SSD收到命令执行相应操作，然后输出结果，每个命令的输入和输出经协议标准组织标准化，这是标准的东西，和HDD无异，只不过HDD替换成SSD硬件存储数据，访问的对象变成SSD。 宏旺半导体之前说过，由于闪存不能覆盖写，闪存块需擦除才能写入。主机发来的某个数据块，它不是写在闪存固定位置，SSD可以为其分配任何可能的闪存空间写入。因此，SSD内部需要FTL这样一个东西，完成逻辑数据块到闪存物理空间的转换或者映射。 举个例子，假设SSD容量为128GB，逻辑数据块大小为4KB

提到数码相机，不得不说到就是数码相机的心脏—— 感光元件 。与传统相机相比，传统相机使用“胶卷”作为其记录信息的载体，而数码相机的“胶卷”就是其成像 感光元件 ，而且是与相机一体的，是数码相机的心脏。感光器是数码相机的核心，也是最关键的技术。数码相机的发展道路，可以说就是感光器的发展道路。目前数码相机的核心成像部件有两种：一种是广泛使用的CCD（电荷藕合）元件；另一种是CMOS（互补金属氧化物导体）器件。 　　 感光元件 工作原理 　　电荷藕合器件图像传感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一种高感光度的 半导体材料 制成，能把光线转变成电荷，通过 模数转换器 芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的 闪速存储器 或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。 　　CCD和传统底片相比，CCD 更接近于人眼对视觉的工作方式。只不过，人眼的视网膜是由负责光强度感应的杆细胞和色彩感应的锥细胞，分工合作组成视觉感应。 CCD经过长达35年的发展，大致的形状和运作方式都已经定型。CCD 的组成主要是由一个类似马赛克的网格、