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存储器分类
存储器分为两类，一是易失性存储器和二是非易失性存储器(即掉电之后数据还能正常保存的性能)
易失性存储器的读写速度一般较快，而非易失性存储器较慢
RAM存储器
DRAM通过电容的充放电表示逻辑1和0,但是由于电容的电压容易改变，就会导致DRAM中存储的数据就会改变，故DRAM有一个刷新机制，即Dynamic(动态)，每过一段时间来检查每个电容的值，由于掉电使电压变小时，电容大于阈值，但小于逻辑1，电容就会被充电，反之，当电容小于阈值，但大于逻辑0时，电容就会被放电。
SRAM通过锁存器来保存数据，SRAM只需要一直供电即可完完整整地保存数据，并不会因为放电丢失。
DRAM与SRAM比较
DRAM一般使用同步通讯的，SDRAM(Synchronous DRAM)同步通信
SRAM使用异步通讯
ROM(Read Only Memory)存储器
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)可擦除可编程只读存储器 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)带电可擦可编程只读存储器
NOR FLASH的结构较为复杂，而NAND FLASH的结构较为复杂
STM32中的FLASH为NOR FLASH虽然容量较小但是死区(即无法使用的区域)较少，由于NOR FLASH可以基于字节读写，故支持XIP(程序在片上执行功能)。
而NAND FLASH一般做大容量的数据存储，例如移动硬盘等
而与ROM等存储器相比较，FLASH的擦除操作为块擦除，而ROM是字节擦除
来源：oschina
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