moq | 易学教程

Unit Testing with IMongoQueryable. System.InvalidCastException: Unable to cast object of type EnumerableQuery to type IOrderedMongoQueryable

阅读更多关于 Unit Testing with IMongoQueryable. System.InvalidCastException: Unable to cast object of type EnumerableQuery to type IOrderedMongoQueryable

来源： https://stackoverflow.com/questions/63879412/unit-testing-with-imongoqueryable-system-invalidcastexception-unable-to-cast-o

Unit Testing with IMongoQueryable. System.InvalidCastException: Unable to cast object of type EnumerableQuery to type IOrderedMongoQueryable

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来源： https://stackoverflow.com/questions/63879412/unit-testing-with-imongoqueryable-system-invalidcastexception-unable-to-cast-o

How to change input parameter in Moq?

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来源： https://stackoverflow.com/questions/38147221/how-to-change-input-parameter-in-moq

Moq setting method return value

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来源： https://stackoverflow.com/questions/32633184/moq-setting-method-return-value

Moq setting method return value

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来源： https://stackoverflow.com/questions/32633184/moq-setting-method-return-value

Moq setting method return value

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来源： https://stackoverflow.com/questions/32633184/moq-setting-method-return-value

Verifying method call with any struct parameter in Moq

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问题 I'm running into the following problem when migrating my app from ASP.NET Core 2.2 to ASP.NET Core 3.0: I have a class which should log an error message under certain circumstances. This is done by calling LogError on ILogger<MyClass> . I used to verifiy this with the following snippet from my unit test: Mock<ILogger<MyClass>> loggerMock = ...; MyClass myClass = ...; myClass.MethodThatLogsTestException(); loggerMock.Verify(l => l.Log( It.IsAny<LogLevel>(), It.IsAny<EventId>(), It.IsAny<object

Verifying method call with any struct parameter in Moq

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应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

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Everspin并行输入/输出 MRAM 产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。Everspin MRAM技术的强大可靠性使工程师们能够使用Everspin的标准商业/工业级产品来满足患者关键医疗设备市场的苛刻要求。 MR5A16A是一个33，554，432位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，由16位的2，097，152个字组成。MR5A16A提供静态随机存取存储器兼容的35 ns读/写时序(汽车温度选项为45ns)，具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间内始终是不可挥发的。数据在掉电时由低压抑制电路自动保护，以防止电压超出规格的写入。 MR5A16A 提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄小外形封装（TSOP 2型）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。 MR5A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用温度（0至+70°C），工业温度（-40至+85°C）和汽车温度（-40至+ 125°C）工作温度选项。为了简化容错设计，MR5A16A包括内部单比特纠错码，每64个数据位有7个纠错码奇偶校验位。MR5A16A是适用于必须永久存储和检索关键数据的应用程序的理想内存解决方案.英尚微电子可提供样品及技术支持. 工程师可以从一系列

MRAM技术随着航空航天局走向轨道

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MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用， Everspin代理英尚微电子为用户提供技术指导及产品应用解决方案。基于微机电系统（MEMS）的磁力计将使用MRAM替代日本研究卫星上的静态RAM和闪存。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模块中的闪存和电池供电的SRAM。MRAM在卫星任务的各个阶段重新配置关键程序和航线定义的能力是一项重大收益。工程师在SpriteSat上检查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力计子系统，该子系统将由日本航空航天开发局启动。 MRAM 于1990年代构想，可以替代从RAM到硬盘的各种类型的内存。由于它是固态的，因此MRAM超越了硬盘的旋转机制。同样，由于单个位可以无限次地擦除和重写，因此MRAM超过了闪存，后者只能在小于100万次的大块中擦除和重写，直到位开始失效。MRAM也是非易失性的。 Angstrom Aerospace在其卫星子系统中仅使用MRAM。MRAM将保存存储的程序数据以及其现场可编程门阵列的配置位