存储器

微型计算机由 微处理器 、 存储器 、 输入/输出接口电路 和 系统总线 构成。 微处理器 ：（Microprocessor）(Central Processing Unit) 微处理器通常分为4位机、8位机、16位机、32位机等。这是按CPU字节的长度来分的，如8086是16位机，16位机包含 16位二进制数，而一个二进制数包含一个字节（一个字节是8位），2 16 Byte = 2 6 KB = 64 KB =65536 bit（1 KB = 2 10 B = 1024 b）。 CPU在内部结构上包含：（1）ALU（算术逻辑部件）（2）累加器和通用寄存器组（3）指令指针、指令寄存器和译码器（4）时序和控制部件 存储器 ：包含 RAM （随机存储器）和 ROM （只读存储器）； 输入/输出接口电路 ：使微型计算机和外部设备相连； 系统总线 ：为CPU和其他部件之间提供数据、地址和控制信息的传输通道。 系统总线包含数据总线、地址总线和控制总线。数据总线的传输方向是双向的，地址总线和控制总线的传输方向是单向的。 数据总线 上传送的不一定是真正的数据，而可能是指令代码、状态量、甚至是一个控制量。数据总线的根数（宽度）一般与微处理器的字长相等。 地址总线 专门用来传送地址信息，地址总是由 CPU发出的内存范围 。 控制总线 是用来传输控制信号的。

TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司（ÅAC）开发的高级磁力计子系统。TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据，以便与子画面观测相关。实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4Mbit MRAM（磁性随机存取存储器）芯片由Everspin Technologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。 ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元（TAMU）（磁力计子系统）中使用了Everspin扩展的温度范围4Mbit MRAM。everspin的4Mbit MRAM器件取代了闪存和电池供电的SRAM。 为什么AACMicrotec为SpriteSat中的TAMU磁力计子系统选择MRAM 用设计人员的话说：“新兴的mram芯片技术结合了磁性材料和硅集成电路，形成了快速，可靠的非易失性RAM（NVRAM）。MRAM结合了具有扩展的温度操作，无限的耐久性和长久性的非易失性存储器。数据保留，即使断电也是如此。” 为什么MRAM适合航空航天应用？ MRAM耐辐射。 MRAM为坚固的系统设计提供高温数据存储和访问以及高可靠性。 在空间中对MRAM进行重新编程的能力允许对系统进行重新配置，而对耐久性，负载均衡或ECC开销没有任何限制。 该航天器结构为立方体，边长为49厘米。AOCS

单片机的组成 单片机又称单片微控制器，它把一个计算机系统集成到一块芯片上，主要包括微处理器（CPU）、存储器（随机访问存储器RAM、只读存储器ROM）和各种输入/输出接口（包括定时器/计数器、并行I/O接口、串行口、A/D转换器以及脉冲宽度调制（PWM）等，如图1-1所示。 ▲图1-1 单片机组成框图 程序存储器（ROM） ROM用来存放用户程序，分为EPROM、Mask ROM、OTP ROM和Flash ROM等。 EPROM型存储器编程（把程序代码通过一种算法写入程序存储器的操作）后，其内容可用紫外线擦除，用户可反复使用，故特别适用于开发阶段，但EPROM型单片机价格很高。 Mask ROM型单片机价格最低，适用于批量生产。由于Mask ROM型单片机的代码只能由生产厂商在制造芯片时写入，故用户更改程序代码十分不便，在产品未成熟时选用此型单片机风险较高。 OTP ROM型（一次可编程）单片机价格介于EPROM和MaskROM型单片机之间，它允许用户对其编程，但只能写入一次。 Flash ROM型单片机可采用电擦除的方法修改其内容，允许用户使用编程工具或在系统中快速修改程序代码，且可反复使用，故一推出就受到广大用户的欢迎。Flash ROM型单片机既可用于开发阶段，也可用于批量生产，随着制造工艺的改进，价格不断下降，使用越来越普遍，已成为现代单片机的发展趋势。 中央处理器

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。 MRAM是一种非易失性存储技术，该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。 MRAM技术之所以受到业界追捧，原因在于随着业界持续向更小技术节点迈进，DRAM和NAND闪存(Flash)正面对着严苛的微缩挑战，MRAM因此被视为有望取代这些内存芯片的独立内存组件。考虑到MRAM具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技术，适用于取代物联网(IoT)设备中的嵌入式闪存和3级高速缓存SRAM。 它不是用来替代闪存的，而是用来处理运算过程中产生的数据。MRAM具有高速读写能力，同时也能永久地保存数据，所以它属于RAM，又能兼顾非易失性。 来源： 51CTO 作者： 英尚微电子 链接： https://blog.51cto.com/14618340/2460338

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而两次写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的存储器解决方案。 MR25H10提供5mmx6mm8引脚DFN封装或5mmx6mm8引脚DFN小标志封装。两者均与串行EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。该系列产品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替换Cypress的型号FM24V10. MR25H10可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。 对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001级合格选项。40MHz的读写速度，具有无限的耐力。数据非易失性，保留20年。数据保留掉电。符合RoHS的软件包。 1Mb串行SPI MRAM •无写入延迟 •无限的写续航力 •数据保留超过20年 •断电时自动数据保护 •块写保护 •快速，简单的SPI接口

Cortex-M0处理器的数据存储器用于软件变量、栈存储,而且有些情况下还用于堆存储。应用程序使用需要动态内存分配的C函数时,堆存储就能用上了。 如果嵌人式应用中没有操作系统(OS) ,那么它只会使用一个栈(只需主栈)。在这种情况下,数据存储器的分配如图7.6所示。. 由于栈操作基于满减小的栈分配,而堆存储在分配时是增加的。为了使存储分配最具效率，通常将栈放在存储器块的尾部,而堆存储则紧跟在普通存储的后面。 来源： CSDN 作者： 那个苏轼回不来了丶 链接： https://blog.csdn.net/qq_45763093/article/details/103613474

计算机三级嵌入式笔记 ARM汇编指令 LDR/STR LDR加载指令 LDR伪指令 LDR 的两种用法 ARM汇编指令 LDR/STR ARM是RISC结构，数据从内存到CPU之间的移动只能通过L/S指令来完成，也就是ldr/str指令。 若想把数据从内存中某处读取到寄存器中，只能使用ldr： ldr r0 , 0x12345678 把0x12345678这个地址中的值存放到r0中 mov不能实现这个功 能，mov只能在寄存器之间移动数据，或者把立即数移动到寄存器中 还有一个就是ldr伪指令，虽然ldr伪指令和ARM的ldr指令很像，但是作用不太一样。ldr伪指令可以在立即数前加上=，以表示把一个值（一般是一个地址）写到某寄存器中 ldr r0 , = 0x12345678 把0x12345678这个值写到r0中，所以，ldr伪指令和 mov是比较相似的。只不过mov指令限制了立即数的长度为8位，也就是不能超过512。而ldr伪指令没有这个限制。如果使用ldr伪指令时，后面跟的 立即数没有超过8位，那么在实际汇编的时候该ldr伪指令是被转换为mov指令的。 LDR加载指令 LDR指令的格式为： LDR{条件} 目的寄存器，<存储器地址> LDR指令用亍从存储器中将一个32位的字数据传送到目的寄存器中。该指令通常用亍从存储器中读取32位的字数据到通用寄存器，然后对数据迕行处理

一、浅谈关于SRAM和DRAM的区别： https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html 。 二、ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别，转自： http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm 。 　 ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器， ROM 是Read Only Memory的缩写， RAM 是Random Access Memory的缩写。 　 ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　RAM 　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/ SRAM )， SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 　　DDR RAM

ARM架构简析 1，ARM概述 现在大家讲的ARM的概念实际上是很模糊的，他可能指的是一类芯片，或者指的是ARM公司，亦或者是精简指令集，还是千万人手中的饭碗。下面引用一段关于百度百科关于ARM的准确描述 ARM架构，曾称进阶精简指令集机器（Advanced RISC Machine）更早称作Acorn RISC Machine，是一个32位精简指令集（RISC）处理器架构。还有基于ARM设计的派生产品，重要产品包括Marvell的XScale架构和德州仪器的OMAP系列。 ARM家族占比所有32位嵌入式处理器的75%，成为占全世界最多数的32位架构。 在1980年代晚期，苹果电脑开始与Acorn合作开发新版的ARM核心，由于这专案非常重要，Acorn甚至于1990年将设计团队另组成一间名为安谋国际科技（Advanced RISC Machines Ltd.）的新公司。也基于这原因，使得ARM有时候反而称作Advanced RISC Machine而不是Acorn RISC Machine。由于其母公司ARM Holdings plc于1998年的伦敦交易市场和NASDAQ挂牌上市[1]，使得Advanced RISC Machines成了ARM Ltd旗下拥有的产品。 这个专案到后来进入了ARM6，首版的式样在1991年释出，然后苹果电脑使用ARM6架构的ARM

一 为何要学习计算机基础 python是编程语言，即python是语言 语言有英语、法语、葡萄牙语等，但凡是语言，都是用来沟通的介质。 程序员编程的本质就是让计算机去工作，而编程语言就是程序员与计算机沟通的介质 程序员要想让计算机工作，必须知道计算机能干什么，怎么干的，这也就是我们必须学习计算机基础的原因 然而光有编程语言和硬件也并不能满足大家的编程需求，为什么这么说呢？ 程序用编程语言写程序，最终开发出的结果就是一个软件，既然是软件，那就与腾讯qq、暴风影音、快播等软件没有区别了。这些软件必须运行在操作系统之上，你肯定会问：为何要有操作系统呢？没错，远古时代的程序员确实是在没有操作系统的环境下，用编程语言之间操作硬件来编程的，你可能觉得这没有问题，但其实问题是相当严重的，因为此时你必须掌握如何操作硬件的所有具体细节，比如如何具体操作硬盘（现在你得把硬盘拆开，然后你能看见的所有的东西，你都得研究明白，因为你编程时要用到它），这就严重影响了开发的效率，操作系统的出现就是运行于硬件之上，来控制硬件的，我们开发时，只需要调用操作系统为我们提供的简单而优雅的接口就可以了 所以一套完整的计算机系统分为：计算机硬件，操作系统，应用软件，如下图。因而我们的python编程之路分为计算机硬件基础，操作系统基础，和python编程三部分，就让我们先从计算机硬件学起吧 二 本节目标