WPE效应主要影响SPICE的Well Proximity Effect Model，WPE对MOS特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。WPE效应与FET和MASK边缘距离强相关，BSIM4中WPE效应影响的阈值电压、迁移率、和体效应所对应Model参数分别为VTH0、U0、K2，通过SCA、SCB和SCC三个参数对上面三个参数产生影响。
在对WPE的建模主要考虑时FET与阱四周的距离该距离会直接影响整体器件的净注入量，用SC来统称FET与各边的距离，其又分成四个小参数SC1、SC2、SC3、SC4用来代表FET与四边的距离，那么可以通过线积分求得SCA、SCB、SCC的值。
公式中fA(s)、fB(s)、fC(s)定义如下：
公式中对SCref的定义为一个经验数据拟合得到的固定参数值。
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